【物理】半導(dǎo)體物理 西安電子科技大學(xué) 柴常春等主講_嗶哩嗶哩_bilibili
- 1.0.1化學(xué)鍵性質(zhì)與相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)（I）(Av970625777,P1)
- 10.0.10砷化鎵晶體的極性3(Av970625777,P10)
- 11.1.1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)與能帶(1)--1(Av970625777,P11)
- 12.1.1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)與能帶(1)--2(Av970625777,P12)
- 13.1.1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)與能帶(2)--1(Av970625777,P13)
- 14.1.1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)與能帶(2)--2(Av970625777,P14)
- 15.1.1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)與能帶(3)--1(Av970625777,P15)
- 16.1.1半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)與能帶(3)--2(Av970625777,P16)
- 17.1.2半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量1(Av970625777,P17)
- 18.1.2半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量2(Av970625777,P18)
- 19.1.3本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制 空穴1(Av970625777,P19)
- 2.0.2化學(xué)鍵性質(zhì)與相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)（II）(Av970625777,P2)
- 20.1.3本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制 空穴2(Av970625777,P20)
- 21.1.4回旋共振（2）1(Av970625777,P21)
- 22.1.4回旋共振（2）2(Av970625777,P22)
- 23.1.5Si和Ge的導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)1(Av970625777,P23)
- 24.1.5Si和Ge的導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)2(Av970625777,P24)
- 25.1.6III-V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)1(Av970625777,P25)
- 26.1.6III-V族化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)2(Av970625777,P26)
- 27.2.1Si和Ge中的雜質(zhì)能級(jí)（III）1(Av970625777,P27)
- 28.2.1Si和Ge中的雜質(zhì)能級(jí)（III）2(Av970625777,P28)
- 29.2.1Si和Ge中的雜質(zhì)能級(jí)1(Av970625777,P29)
- 3.0.3化學(xué)鍵性質(zhì)與相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)（III）(Av970625777,P3)
- 30.2.1Si和Ge中的雜質(zhì)能級(jí)2(Av970625777,P30)
- 31.2.2III-V族化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)(Av970625777,P31)
- 32.2.3缺陷 位錯(cuò)能級(jí)(Av970625777,P32)
- 33.3.1狀態(tài)密度1(Av970625777,P33)
- 34.3.1狀態(tài)密度2(Av970625777,P34)
- 35.3.2費(fèi)米能級(jí)1(Av970625777,P35)
- 36.3.2費(fèi)米能級(jí)2(Av970625777,P36)
- 37.3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度1(Av970625777,P37)
- 38.3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度2(Av970625777,P38)
- 39.5.7載流子的漂移運(yùn)動(dòng) 愛(ài)因斯坦關(guān)系(Av970625777,P39)
- 4.0.4化學(xué)鍵性質(zhì)與相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)（IV）(Av970625777,P4)
- 40.預(yù)備性知識(shí)1(Av970625777,P40)
- 41.預(yù)備性知識(shí)2(Av970625777,P41)
- 42.預(yù)備性知識(shí)3(Av970625777,P42)
- 43.預(yù)備性知識(shí)4(Av970625777,P43)
- 44.預(yù)備性知識(shí)5(Av970625777,P44)
- 45.預(yù)備性知識(shí)6(Av970625777,P45)
- 46.預(yù)備性知識(shí)7(Av970625777,P46)
- 47.預(yù)備性知識(shí)8(Av970625777,P47)
- 48.7.1金屬與半導(dǎo)體接觸及其能帶圖1(Av970625777,P48)
- 49.7.1金屬與半導(dǎo)體接觸及其能帶圖2(Av970625777,P49)
- 5.0.5金剛石結(jié)構(gòu)的各向異性（I）(Av970625777,P5)
- 50.7.2金屬半導(dǎo)體整流理論1(Av970625777,P50)
- 51.7.2金屬半導(dǎo)體整流理論2(Av970625777,P51)
- 52.7.3少數(shù)載流子注入和歐姆接觸1(Av970625777,P52)
- 53.7.3少數(shù)載流子注入和歐姆接觸2(Av970625777,P53)
- 54.8.2表面電場(chǎng)效應(yīng)1(Av970625777,P54)
- 55.8.2表面電場(chǎng)效應(yīng)2(Av970625777,P55)
- 56.8.3MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性(Av970625777,P56)
- 57.8.4Si-SiO2系統(tǒng)的性質(zhì)(Av970625777,P57)
- 58.8.5表面電導(dǎo)及遷移率(Av970625777,P58)
- 59.8.6表面電場(chǎng)對(duì)PN結(jié)特性的影響1(Av970625777,P59)
- 6.0.6金剛石結(jié)構(gòu)的各向異性（II）(Av970625777,P6)
- 60.8.6表面電場(chǎng)對(duì)PN結(jié)特性的影響2(Av970625777,P60)
- 61.9.1異質(zhì)結(jié)及其能帶圖(Av970625777,P61)
- 62.9.2異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)1(Av970625777,P62)
- 63.9.2異質(zhì)結(jié)的電流輸運(yùn)機(jī)構(gòu)2(Av970625777,P63)
- 64.9.3異質(zhì)結(jié)在器件中的應(yīng)用(Av970625777,P64)
- 65.9.4半導(dǎo)體超晶格(Av970625777,P65)
- 66.10.1半導(dǎo)體的光學(xué)常數(shù)(Av970625777,P66)
- 67.10.2 半導(dǎo)體的光吸收1(Av970625777,P67)
- 68.10.2 半導(dǎo)體的光吸收2(Av970625777,P68)
- 69.10.2 半導(dǎo)體的光吸收3(Av970625777,P69)
- 7.0.7金剛石結(jié)構(gòu)的各向異性（III）(Av970625777,P7)
- 70.10.3半導(dǎo)體的光電導(dǎo)1(Av970625777,P70)
- 71.10.3半導(dǎo)體的光電導(dǎo)2(Av970625777,P71)
- 72.10.4 半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)(Av970625777,P72)
- 73.10.5半導(dǎo)體發(fā)光1(Av970625777,P73)
- 74.10.5半導(dǎo)體發(fā)光2(Av970625777,P74)
- 75.10.6半導(dǎo)體激光1(Av970625777,P75)
- 76.10.6半導(dǎo)體激光2(Av970625777,P76)
- 77.10.7半導(dǎo)體光電探測(cè)器(Av970625777,P77)
- 78.11.0半導(dǎo)體的熱點(diǎn)性質(zhì)(Av970625777,P78)
- 79.12.1霍爾效應(yīng)1(Av970625777,P79)
- 8.0.8砷化鎵晶體的極性1(Av970625777,P8)
- 80.12.1霍爾效應(yīng)2(Av970625777,P80)
- 81.12.2磁阻效應(yīng)1(Av970625777,P81)
- 82.12.2磁阻效應(yīng)2(Av970625777,P82)
- 83.12.5熱磁效應(yīng)(Av970625777,P83)
- 84.12.6光電磁效應(yīng)1(Av970625777,P84)
- 85.12.6光電磁效應(yīng)2(Av970625777,P85)
- 86.12.7壓阻效應(yīng)(Av970625777,P86)
- 9.0.9砷化鎵晶體的極性2(Av970625777,P9)
