I^2C ??:內(nèi)部集成總線（板級之間的內(nèi)部相互通信） ??同步半雙工總線
只能在同一時(shí)間接收/發(fā)送（兩條線節(jié)省硬件資源）
使用時(shí)兩條線上添加兩個(gè)上拉電阻
主設(shè)備給從設(shè)備發(fā)射時(shí)序（單周期內(nèi)一個(gè)數(shù)據(jù)有效）
串型接口同一時(shí)間不可能實(shí)現(xiàn)多個(gè)設(shè)備
一主多從常見? ? ? ?多主多從也允許
空閑狀態(tài)（兩條線同時(shí)高電平）
傳輸協(xié)議：（幀格式：起始結(jié)束校驗(yàn)）
I^2C:幀數(shù)包（8位數(shù)據(jù)+應(yīng)答 ????只有一個(gè)起始與結(jié)束）
起始信號:時(shí)鐘線處于高電平數(shù)據(jù)由高變低（下降沿）
結(jié)束信號：時(shí)鐘線處于高電平數(shù)據(jù)由低變高（上升沿）
時(shí)序信號Ｋ现伞！Ｈ裣搿！
校驗(yàn)：ACK：應(yīng)答（拉低）
NACK：非應(yīng)答（拉高/不動(dòng)）
設(shè)備產(chǎn)生應(yīng)答信號
發(fā)送完有效數(shù)據(jù)后釋放數(shù)據(jù)规婆，處于空閑狀態(tài)
數(shù)據(jù)通信方式從設(shè)備設(shè)備號（用于信號尋址）：
7bit（末尾的位0：主向從發(fā)
1：主向從發(fā)
數(shù)據(jù)的傳輸方向）
10bit（起始信號不占傳輸幀第9位占應(yīng)答）
在時(shí)鐘線的低電平進(jìn)行數(shù)據(jù)線的電平變換
在時(shí)鐘線的高電平進(jìn)行數(shù)據(jù)線的鎖存
串型發(fā)送（高位在前MSB 10000000/低位在前LSB 00000001）
I^2C：高位在前7CH595與之相反
數(shù)據(jù)線的變化對應(yīng)時(shí)鐘線的低電平變化
文件指針偏移SLINK
設(shè)備號（設(shè)備地址）
設(shè)備內(nèi)地址：連續(xù)存儲(chǔ)多個(gè)數(shù)據(jù)（只一個(gè)首地址）內(nèi)部地址自增：給一個(gè)地址后面地址連續(xù)遞增（不掉電就不斷在重新啟動(dòng)時(shí)從上次結(jié)束位開始）
（存儲(chǔ)設(shè)備）E2PROM：
只讀存儲(chǔ)器：ROM ??????PROM（燒寫）—>EPROM（可擦寫）—E^2PROM（電信號擦寫）掉電不丟失 ?????????????????????????????????????????????存儲(chǔ)量小造價(jià)高
Flash閃存
隨機(jī)性存儲(chǔ)器：可改變內(nèi)部存儲(chǔ)RAM讀 ????寫
讀寫效率高抒蚜，只能臨時(shí)儲(chǔ)存
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM只要不掉電數(shù)據(jù)就不丟失 ??穩(wěn)定性高造價(jià)高（半導(dǎo)體硬件）
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM（電容）定時(shí)刷新
DPR（1~4）
Flash閃存（以塊為單位）： Norflash
Nanflash（會(huì)出現(xiàn)壞塊）
端序（單字節(jié)物理排序）問題
大端序：高字節(jié)在低位12 24 46 78小端序：高字節(jié)在高位76 56 34 12
寫：起始+設(shè)備號+傳輸方向+應(yīng)答
7bit ???1bit（0） ?1bit
+從設(shè)備內(nèi)地址+應(yīng)答+多個(gè)起始+結(jié)束
?8bit ??????????1bit ?9/7bit ??1bit
讀：起始+設(shè)備號+傳輸方向（0）+應(yīng)答+從設(shè)備內(nèi)地址+應(yīng)答+起始+設(shè)備+傳輸+應(yīng)答+數(shù)據(jù)（從）+應(yīng)答（主）——>數(shù)據(jù)（從）+非應(yīng)答（主）+結(jié)束
同一個(gè)設(shè)備的傳輸可以不添加結(jié)束位
一次性擦寫OTP不會(huì)改變
A（0~2）地址選擇
SRAM ??16頁 每頁16字節(jié) ??內(nèi)部包含16字節(jié)緩沖區(qū) ??主動(dòng)移動(dòng)內(nèi)部指針來進(jìn)行覆蓋
寫的話嗡髓，只能一頁一頁的寫
讀的話收津，可以從頭到尾的讀
按字節(jié)寫每寫一個(gè)字節(jié)要帶一個(gè)地址1~16字節(jié)
按頁寫跨頁重發(fā)地址
