001
畫出CMOS反相器的電路原理圖
這個學過數(shù)集應該都會畫路捧，NMOS接地扯再，PMOS接高電平。
002
反向器的速度與哪些因素有關佳谦？什么是轉(zhuǎn)換時間（transition time）和傳播延遲（propagation delay）戴涝？
反相器的速度與哪些因素有關。
（1）電容（負載電容、自載電容啥刻、連線電容）較小奸鸯，漏端擴散區(qū)的面積應盡可能小。輸入電容要考慮： （1）Cgs 隨柵壓而變化（2）密勒效應（3）自舉效應
（2）加大晶體管的尺寸（驅(qū)動能力）可帽，使晶體管的等效導通電阻（輸出電阻）較小娄涩。但這同時加大自載電容和負載電容（下一級晶體管的輸入電容）。
（3）提高電源電壓映跟，提高電源電壓可以降低延時蓄拣，即用功耗換取性能但超過一定程度后改善有限。電壓過高會引起可靠性問題（氧化層擊穿努隙、熱電子等）球恤。
Transition Time（轉(zhuǎn)換時間）：
上升時間：從10%Vdd上升到90%Vdd的時間。
下降時間：從90%Vdd下降到10%dd的時間荸镊。
上升時間和下降時間統(tǒng)稱為Transition Time碎捺，也有定義為20%到80%。
Propagation Delay（傳播延時）：在輸入信號變化到50%Vdd到輸出信號變化到50%Vdd之間的時間贷洲。
003
解釋一下Vih，Vil晋柱，Vol优构，Voh，Vt雁竞。
Vih：輸入電壓由高到低變化時钦椭，輸出電壓開始上升且傳輸特性曲線斜率為-1的點，即圖中B點對應的輸入電壓碑诉。（仍能維持輸出為邏輯“1”的最大輸出電壓）
Vil：輸入電壓由低到高變化時彪腔，輸出電壓開始下降且傳輸特性曲線斜率為-1的點，即圖中A點對應的輸入電壓进栽。（仍能維持輸出為邏輯“0”的最小輸出電壓）
Voh：定義為最小合格高電平德挣。（維持輸出為邏輯“1”的最大輸出電壓）
Vol：定義為最大合格低電平。（維持輸出為邏輯“0”的最大輸出電壓）
CMOS集成電路內(nèi)部規(guī)定Vol = 0v快毛，Voh = Vdd格嗅。
Vt：MOS管的閾值電壓
[圖片上傳失敗...(image-f37512-1596012588754)]
004
什么是原碼，反碼唠帝，補碼屯掖，符號-數(shù)值碼。以4bit為例襟衰，給出各自表示的數(shù)值范圍贴铜。
原碼：符號位+真值
范圍：0111（-7）到1111（+7）
原碼中0000和1000都表示0
反碼：正數(shù)的反碼是其本身，負數(shù)的反碼是其符號位外逐位取反。
例：[+3]原 = [0011]原 = [0011]反
[-3]原 = [1011]原 = [1100]反
表示范圍：-7到+7
補碼：正數(shù)補碼是其本身绍坝，負數(shù)補碼是符號位外逐位取反再加一
例：[+3]原 = [0011]原 = [0011]反 = [0011]補
[-3]原 = [1011]原 = [1100]反 = [1101]補
表示范圍：-8到+7
補碼中0的表示只有一種形式徘意，即0000，1000表示-8
以上是有符號數(shù)陷嘴，對于無符號數(shù)來說都是來表示整數(shù)映砖，其原碼、反碼灾挨、補碼都是其本身邑退。
