姓名：桑根培? ? ? 學(xué)號：19021211264

易失性存儲器：? 掉電數(shù)據(jù)會丟失，相對的讀寫速度較快?? （內(nèi)存條）

非易失性存儲器：掉電數(shù)據(jù)不會丟失棕孙，相對的讀寫速度較慢（硬盤）

? ? ?比如在電腦上寫word文檔，如果沒有手動保存锨并，那么電腦就會保存到內(nèi)存中（內(nèi)存條）桂肌，此時關(guān)機就會丟掉剛剛所寫的文檔內(nèi)容。

DRAM?：動態(tài)RAM 疯搅；電腦里用的一般是DDRIII? SDRAM

SRAM?：靜態(tài)RAM?；STM32中

RAM存儲器

?? ?RAM是“Random? Access? Memory”的縮寫埋泵，被譯為隨機存儲器幔欧。所謂“隨機存儲器”指的是當(dāng)存儲器中的消息被讀取或?qū)懭霑r，所需要的時間與這段信息所在的位置無關(guān)丽声。RAM可隨機讀取內(nèi)部任意地址的數(shù)據(jù)礁蔗，時間都是相同的，因此而得名雁社。早起計算機用磁鼓作為存儲器浴井，磁鼓是順序讀寫設(shè)備，你要讀寫某一地址霉撵，必須按順序轉(zhuǎn)到那個地址才行磺浙，而不能直接向那個地址讀寫，磁鼓一個轉(zhuǎn)盤一直在轉(zhuǎn)圈徒坡。

?? ?根據(jù)RAM的存儲機制撕氧，又分為動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic? RAM)以及靜態(tài)隨機存儲器SRAM(Static? RAM)。

DRAM的存儲單元結(jié)構(gòu)

? ? ? ?上圖就是DRAM的一個存儲單元喇完，當(dāng)存儲數(shù)據(jù)的時候會通過MOS管會給電容充電伦泥，當(dāng)電容充滿電后，電容的電壓值就是3.3V锦溪，表示邏輯1不脯；反之電容電壓值就是0V，表示邏輯0刻诊。八個這樣的存儲電容就可以組成一個字節(jié)防楷。

? ? ? ?DRAM有一個機制，比如一開始電容電壓是3.3V坏逢，邏輯為1域帐，閾值是1.0V赘被，低于1.0V后就認為是邏輯0是整。那我們就會過一段時間（極其短暫）就會去檢查一下電容值肖揣，假如過一段時間檢查到電容是2.7v，我們就會認為這個電容一開始是3.3V的浮入，是因為放電龙优，所以現(xiàn)在是2.7v，所以為了防止邏輯電平因為放電而改變事秀，所以此時就會給電容充電到3.3V彤断；而對于邏輯0，可能存在充電的特性易迹，所以檢測機制也會不停檢測宰衙，如果檢測到比如是0.7v就會馬上放電。DRAM不斷的用這樣的機制去保證數(shù)據(jù)正常睹欲，這就是DRAM的刷新機制供炼，也就是“動態(tài)RAM”這個名字的由來。

SRAM的存儲單元

上圖是SRAM的一個存儲單元窘疮，一個存儲單元也同樣只能存儲一個位

特性? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? DRAM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? SRAM

存取速度? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?較慢? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較快

集成度? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?較高? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?較低

生產(chǎn)成本? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?較低? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較高

是否需要刷新? ? ? ? ? ? ? ? 是（動態(tài)）? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 否（靜態(tài)）

? ? ? ?因為DRAM需要刷新袋哼，所以控制比較復(fù)雜；而SRAM不需要刷新闸衫，所以控制比較簡單涛贯。因為F1芯片沒有辦法做到刷新的功能，所以STM32F103ZET6不能控制SDRAM蔚出；而F4可以控制

種類? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?特點

普通SDRAM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 在上升沿時同步數(shù)據(jù)

DDRII? SDRAM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?在上升沿及下降沿都同步數(shù)據(jù)弟翘，數(shù)據(jù)極限頻率800MHz

DDRIII? SDRAM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 在上升沿及下降沿都同步數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)極限頻率1600MHz

ROM存儲器

ROM是“Read? Only?Memory”的縮寫骄酗，譯為只讀的存儲器稀余。后來設(shè)計出了可以方便寫入數(shù)據(jù)的ROM，現(xiàn)在一般用于指代非易失性半導(dǎo)體存儲器酥筝，包括FLASH滚躯，有些人也把它歸為ROM。

種類? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 特性

MASK? ROM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 出廠時固化嘿歌，不可修改

OTP? ? ?ROM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?用戶可寫入一次掸掏，之后不可修改

EPROM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 可重復(fù)擦寫，需要使用專用紫外線照射設(shè)備擦除

EEPROM? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 可重復(fù)擦寫宙帝，電擦除丧凤，使用方便

? ? EEPROM內(nèi)存很小，因此一般用于存放數(shù)據(jù)

FLASH存儲器

? ? ? ? FLASH存儲器又稱為閃存步脓，它也是可重復(fù)擦寫的存儲器愿待，內(nèi)存比EEPROM大的多浩螺，且在擦除時一般以多個字節(jié)為單位。

特性? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?NOR? FLASH? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?NAND? FLASH

同容量存儲器成本? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較貴? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較便宜

集成度? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較低? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較高

介質(zhì)類型? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?隨機存儲? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?連續(xù)存儲

地址線和數(shù)據(jù)線? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?獨立分開? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 共用

刪除單元? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?以“扇區(qū)/塊”擦除? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?以“扇區(qū)/塊”擦除

讀寫單元? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 可以基于字節(jié)讀取? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?必須以“塊”為單元讀取

讀取速度? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?較高? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?較低

寫入速度? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較低? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較高

壞塊? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?較少? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 較多

是否支持XIP? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 支持? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 不支持

? ? ? ? FLASH存儲器又稱閃存仍侥，它結(jié)合了ROM和RAM的長處要出，不僅具備電子可擦出可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù) （NVRAM的優(yōu)勢）农渊，U盤和MP3里用的就是這種存儲器患蹂。

? ? ? ?目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣砸紊，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼传于，這樣可減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機讀取技術(shù)醉顽，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的沼溜，通常是一次讀取512個字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價游添。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼系草，因此很多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還附加一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼否淤。一般小容量的存儲用NOR Flash悄但，因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息石抡，而大容量的用NAND FLASH檐嚣，最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的“閃盤”，可以在線擦除啰扛。目前市面上的FLASH 主要來自Intel嚎京，AMD，F(xiàn)ujitsu和Toshiba隐解，而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba鞍帝。

NAND? FLASH：如果一直往某一個存儲單元寫入數(shù)據(jù)（好幾萬次），該存儲單元可能會壞掉

壞塊：就是說廠家在生產(chǎn)的時候會不可避免的導(dǎo)致某些存儲單元壞掉

程序在片上執(zhí)行煞茫，STM32或者51內(nèi)部的FLASH都是NOR FLASH用來存儲程序? 帕涌；NAND FLASH都是用來存儲數(shù)據(jù)，如移動硬盤续徽，U盤蚓曼、SSD硬盤，SD卡钦扭。電腦裝上SSD硬盤纫版，開機會很快。如果用NAND FLASH存儲程序客情，那么程序是無法直接運行的其弊。

非易失性存儲器的寫入操作不會將0改寫成1癞己，所以在寫之前必須先擦除。

ROM可以以字節(jié)擦除梭伐，而FLASH必須以塊為單位擦除痹雅。

常用存儲器歸納