內(nèi)存抖動(dòng)
引起的原因：短時(shí)間內(nèi)有大量對象創(chuàng)建與銷毀敛助，它伴隨著頻繁的GC权她。
內(nèi)存抖動(dòng)會(huì)引起頻繁的gc，gc是會(huì)STW的疑故，會(huì)暫停用戶線程。
Android Studio 內(nèi)置了性能監(jiān)測工具M(jìn)emory Monitor
A：手動(dòng)觸發(fā)GC操作
B：獲取當(dāng)前的堆棧信息弯菊，生成.hprof文件
C：內(nèi)存分配追蹤工具纵势，生成.alloc文件
D：已使用內(nèi)存
E：剩余可用內(nèi)存
通過與應(yīng)用交互并在Memory Monitor中觀察它是如何影響內(nèi)存的使用，圖表可以為你展示一些潛在的問題:
1.頻繁的垃圾收集活動(dòng)使應(yīng)用運(yùn)行緩慢管钳。
2.應(yīng)用耗盡內(nèi)存導(dǎo)致app崩潰.
3.潛在的內(nèi)存泄漏
正常情況下钦铁，上圖中的D區(qū)域會(huì)隨著時(shí)間的走勢慢慢上升(就算你與APP沒有任何交互)，直到E區(qū)域被用完才漆，則會(huì)觸發(fā)GC操作牛曹，釋放內(nèi)存，周而復(fù)始醇滥。如果你發(fā)現(xiàn)你的應(yīng)用是靜態(tài)的黎比，但是E區(qū)域的內(nèi)存很快就被用完了，即頻繁的觸發(fā)GC操作鸳玩，這時(shí)你就應(yīng)該引起重視阅虫，說不定你的代碼中就存在著引起內(nèi)存泄漏的隱患。
在Memory一欄中不跟，可以觀察不同時(shí)間App內(nèi)存的動(dòng)態(tài)使用情況颓帝，點(diǎn)擊可以手動(dòng)觸發(fā)GC（點(diǎn)擊上圖A處），然后點(diǎn)擊上圖B處可以進(jìn)入HPROF Viewer界面窝革，查看Java的Heap购城，如下圖
最后補(bǔ)充一個(gè)我遇到的例子
以上是我的例子，不斷的從MainActivity跳到Main2Activity虐译，很明顯會(huì)因?yàn)镃ontext導(dǎo)致內(nèi)存泄漏瘪板，下面我們用Android Monitor來排查出來
然后進(jìn)入到.hprof結(jié)尾的文件
內(nèi)存泄漏，MAT檢測內(nèi)存泄漏實(shí)戰(zhàn)
dump完成后Android studio會(huì)開啟一個(gè)新的視圖顯示當(dāng)前內(nèi)存中的所有對象
?導(dǎo)出hprof文件漆诽，點(diǎn)擊導(dǎo)出按鈕將Android studio中的hprof文件導(dǎo)出到自己的文件夾篷帅，用于后續(xù)在MAT工具中分析。
導(dǎo)出的hprof文件是無法直接在MAT工具中分析的拴泌，如果直接在MAT中打開這個(gè)文件會(huì)報(bào)錯(cuò)，需要進(jìn)行轉(zhuǎn)換惊橱，轉(zhuǎn)換工具是sdk/platform-tools里面的hprof-conv.exe工具蚪腐，執(zhí)行命令進(jìn)行轉(zhuǎn)換：
在MAT中打開轉(zhuǎn)換后的文件，打開后選擇Histogram視圖税朴，輸入SecondActivity進(jìn)行過濾回季，可以看到SecondActivity對象有2個(gè)家制，右鍵選擇SecondActivity對象，選擇merge shortest paths to gc roots -> exclude all phantom/weak/soft etc. references泡一，排除掉虛引用/弱引用/軟引用，只保留強(qiáng)引用，因?yàn)橹挥袕?qiáng)引用才會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存泄露茂翔。
分析強(qiáng)引用的引用鏈：
