對于有機金屬外延（MOCVD）折汞，很多人并不陌生倔幼，但還有不否認并不知道MOCVD究竟用來做什么，有什么具體應用字支，本文作出部分說明凤藏。同時，作者知識面有限堕伪，如有不足之處請幫忙指出揖庄。
生長固體薄膜材料的設備有很多，包括MBE欠雌，LPE蹄梢，PECVD，PVD，MOCVD以及可控制在原子級別生長的ALD等禁炒，目前在晶圓上生長薄膜材料的最常用MOCVD而咆，順便一提，PECVD和PVD也常用幕袱，本文重點討論MOCVD設備暴备。從應用端（發(fā)光二極管、功率器件等）分類說明们豌。
1涯捻，發(fā)光二極管（LED，LD）
得益于國內(nèi)LED的蓬勃發(fā)展望迎，MOCVD機臺數(shù)量在國內(nèi)急速增長障癌，最早打入國內(nèi)市場的是Veeco和Aixtron兩家公司。在LED生長方面辩尊，Veeco機型比Aixtron機型占優(yōu)勢涛浙，特別是GaN藍光LED方面，特點：重復性較高摄欲，產(chǎn)量高轿亮，程序書寫簡便，但缺點也明顯蒿涎，氣體消耗大哀托，源利用率不高。經(jīng)過Veeco的幾代發(fā)展劳秋，從經(jīng)典的K465到K465i仓手，再到C4，受市場需求的刺激玻淑，Veeco將14片（4寸wafer片）機型升級到31片的K700嗽冒，K868機型，但某種程度上也將自己逼到了死路补履，加之國內(nèi)中微機型的MOCVD的崛起添坊，Veeco在GaN LED市場的競爭上壓力倍增。中微在腔室設計等方面和Veeco相似箫锤，但售價卻更便宜贬蛙。
早期，Veeco和Aixtron均在GaN LED上應用谚攒，Aixtron的機型迭代速度無法比肩Veeco阳准，受市場規(guī)律，各大外延廠商發(fā)現(xiàn)Veeco機型在GaN LED上更占優(yōu)勢馏臭，逐漸放棄Aixtron野蝇。基于以上事實，Aixtron已放棄在GaN LED的市場绕沈，Aixtron的至暗時刻到來锐想，在2018年，競爭對手的打壓+市場的不景氣乍狐，Aixtron差點被收購赠摇。峰回路轉(zhuǎn)，iphone使用人臉識別所需的VCSEL拯救了Aixtron澜躺，各手機商模仿iphone蝉稳，對VCSEL器件需求增加，可以說iphone是撬動起Aixtron二次崛起的支點掘鄙。在實際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，使用Aixtron機型生產(chǎn)的VCSEL器件在均勻性嗡髓、性能等方面占優(yōu)勢操漠，在2018年末、2019年初饿这，需求市場開始回暖浊伙，Aixtron機型的訂單增加。加之國外在芯片方向（美國貿(mào)易戰(zhàn)长捧，包括通訊激光FP嚣鄙，DFB，VCSEL等）的打壓串结，國內(nèi)大小研究院哑子、公司等加大力度在此方面的研究，國內(nèi)對Aixron機型的需求陡增肌割。
Aixtron機型有CCS卧蜓，G3，G4把敞，G5+等弥奸，CCS采用的是花灑的設計，氣流可均勻的流至wafer表面反應奋早，G3/G4采用 nozzle設計盛霎，分為三層，G5為五層的設計耽装。此外愤炸，載盤也有區(qū)別，G系列和CCS最大的差別在于wafer片除了繞軸公轉(zhuǎn)外剂邮，也會自轉(zhuǎn)（衛(wèi)星式）摇幻。
G5的nozzle設計
G5載盤
其中CCS（花灑設計）和G3/G4（nozle設計）廣泛的用在生長LD，紅黃LED器件上，生長的V/III材料體系有二元（GaAs绰姻，InP枉侧，GaP，AlAs等）狂芋、三元（GaInAs榨馁、AlInAs、GaInP帜矾、AlInP翼虫、GaAsP等）、四元（AlGaInAs屡萤、AlGaInP珍剑，GaInAsP等），材料生長是一個比較復雜的過程死陆，作者會在以后的文章中慢慢介紹招拙。
生長紅黃也有使用Veeco的，但紅黃材料涉及As和P措译，易粘附在腔壁别凤，對后期的保養(yǎng)帶來不便，此外和Aixtron相比领虹，均勻性等性能均不占優(yōu)勢规哪。
和Aixtron相比，Veeco機型在清腔前后性能相差會較大塌衰，主要涉及Mg摻雜诉稍，但在Aixtron機型上清腔前后Mg的影響不大。Aixtron內(nèi)涉及P型摻雜所用的C摻雜猾蒂，使用源為CCl4均唉、CBr4、CClBr3等肚菠，CCl4的腐蝕性較強舔箭，對機臺損傷較大。Veeco和Aixtron都屬于高精密型設備蚊逢，需要花精力去探索研究层扶，此種種種特性等不在此作累贅。
2烙荷，功率器件镜会，射頻
功率器件對均勻性等需求比較高，Veeco的設計在生長時存在圈位厚度偏差终抽，所以生長GaN HEMT等功率器件時戳表，Aixtron的G5+是首選桶至。據(jù)悉，國內(nèi)的英諾賽科就是采用G5+生產(chǎn)GaN器件匾旭。
3镣屹，UV（紫外）
生長UV的設備，一般使用改造的Veeco或者MBE价涝，日本日亞使用臥式反應腔女蜈，一爐只生產(chǎn)一片，但所使用的載氣可以處理循環(huán)使用色瘩，所以折算下來的成本并不高伪窖。除了國內(nèi)早期研究機構使用臥式反應腔，后面已逐步被淘汰居兆。
MOCVD的內(nèi)容較多覆山，不是短短一篇文章可以囊括，后續(xù)有時間慢慢再更新史辙。
PS：veeco設備的一些簡介
