http://blog.csdn.net/gtkknd/article/details/26324397
http://bbs.21dianyuan.com/28549.html
http://www.360doc.com/content/11/0914/09/2379373_148095479.shtml
http://blog.sina.com.cn/s/blog_4b2c39e20100w69h.html
http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3009075.HTM
導(dǎo)通時序可分為to~t1位迂、t1~t2叭首、 t2~t3 拓挥、t3~t4四個時間段删豺，這四個時間段有不同的等效電路玩祟。
1. ? t0-t1：C GS1 開始充電，柵極電壓還沒有到達V GS（th） 委粉，導(dǎo)電溝道沒有
形成氮昧，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。
2. ? [t1-t2]區(qū)間, GS間電壓到達Vgs（th）蝶押，DS間導(dǎo)電溝道開始形成踱蠢，
MOSFET開啟，DS電流增加到ID, C gs2 迅速充電棋电，Vgs由Vgs（th）指
數(shù)增長到Va
3. ?[t2-t3]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng)茎截，C gd
電容大大增加,柵極電流持續(xù)流過苇侵，由于C gd 電容急劇增大，抑制了
柵極電壓對C gs 的充電,從而使得V gs 近乎水平狀態(tài)企锌，C gd 電容上電壓增
加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小;
4. ?[t3-t4]區(qū)間,至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓
,Millier效應(yīng)影響變小榆浓，C gd 電容變小并和C gs 電容一起由外部驅(qū)動電
壓充電, C gs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩(wěn)態(tài)
,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟撕攒。
