第15講by王暢

平面牵辣、球陨闹、圓柱帶電體的場強:高斯定理

知識點


  • 電通量

  • 高斯定理

    • 高斯面
    • 矢量積分轉(zhuǎn)化為標(biāo)量積分
    • Q_內(nèi)
  • 平面對稱的電場

  • 球?qū)ΨQ帶電體的電場

    • (a)做通過某場點的同心球面作為高斯面扑浸,隨后將對該面應(yīng)用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}

    • (b)公式中Q_{\text{內(nèi)}}是指的這個高斯面所包圍的體積內(nèi)部的總電量梁丘。一定要想清楚電荷到底是如何分布的侵浸。在復(fù)雜的問題中,往往需要借助電荷密度來求解氛谜。

    • (c) 設(shè)該場點的電場強度掏觉,大小為E,則該面的電通量必然為E\cdot4\pi r^{2}值漫,其中4\pi r^{2}是高斯球面的面積澳腹。

    • (d)于是得到核心方程:E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可杨何。

  • 軸對稱帶電體的電場

    • (a)通過該場點做同軸圓柱作為高斯面酱塔,隨后將對該面應(yīng)用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}
    • (b)公式中Q_{\text{內(nèi)}}是指的這個高斯面所包圍的體積內(nèi)部的總電量危虱。一定要想清楚電荷到底是如何分布的羊娃。在復(fù)雜的問題中,往往需要借助電荷密度來求解埃跷。
    • (c) 設(shè)該場點的電場強度蕊玷,大小為E芦瘾,則該面的電通量必然為E\cdot2\pi rh,其中2\pi rh是高斯面(圓柱)的側(cè)面積集畅。
    • (d)于是得到核心方程:E\cdot2\pi rh=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可缅糟。

表達(dá)題


  • 一個非閉合面的電通量挺智,其直觀物理意義是貫穿某個面(比如一張紙,一面是紅色窗宦,一面是黑色)的電場線的條數(shù)赦颇。注意,這里的貫穿赴涵,是指的從一面紅色媒怯,從黑色穿出;即:電場線必須跟那張紙發(fā)生“交叉”髓窜,而不能是平行扇苞。則在勻強電場(E)中,如圖所示的半徑為R寄纵,高度為H的半圓筒鳖敷,圓筒的軸線與電場線平行。則其電通量為( )

解答:0.

  • 一個閉合面的電通量程拭,其直觀物理意義是穿出定踱、穿入它的電場線的次數(shù)。注意恃鞋,穿出為正貢獻崖媚、穿入為負(fù)貢獻。則如圖所示恤浪,,則其電通量為( )

解答:

  • 勻強電場中畅哑,平面的電通量的計算式為:
  • 電通量的積分表達(dá)式為:
  • 高斯定理的公式是\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}。如圖所示有三個點電荷资锰,分別為q_{1},q_{2},q_{3}敢课。我們畫一個封閉的曲面,將q_{1},q_{2}圍在里面绷杜,而讓q_{3}呆在該封閉曲面的外圍直秆。在此情形下,請分析高斯定理中的各項鞭盟。

解答:封閉曲面的通量跟______有關(guān)圾结,跟_____無關(guān)。

Q=_________齿诉。
根據(jù)場強疊加原理筝野,任一點的\vec{E}?跟_____________有關(guān)晌姚。


  • 所有無限大的均勻帶電的平面或平板,以及由它們彼此平行合成的各種組合體歇竟,均簡稱“平面帶電體”挥唠。畫圖描述這類帶電體的場強特征:

解答:

  • 任何無限大均勻帶電平板,做圖示的高斯面焕议,則其通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}計算出來必然為

解答:

  • “平板帶電體”求電場\vec{E}的思路是:(a)通過某場點宝磨,在平板兩邊對稱地做一個圓柱型表面作為高斯面,隨后將對該面應(yīng)用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}盅安;
    (b)公式中Q_{\text{內(nèi)}} 指的這個高斯面所包圍的體積內(nèi)部的總電量唤锉。一定要想清楚電荷到底是如何分布的。在復(fù)雜的問題中别瞭,往往需要借助電荷密度來求解窿祥。
    (c) 設(shè)該場點的電場強度,大小為E蝙寨,則該面的電通量必然為2ES晒衩,其中S是圓柱型表面的底面積。
    (d)于是得到核心方程:2ES=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}墙歪,解出E 即可浸遗。
    現(xiàn)在有一個均勻帶電的平板,電量體密度為\rho箱亿,平板的厚度是D跛锌。我們想求出該平板外部,距離中心為x處的場點的電場(x>D/2)届惋。我們過該點髓帽,做圖示的高斯面。設(shè)該點電場大小為E脑豹,則核心方程可能為:

解答:

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的平板郑藏,電量體密度為\rho,平板的厚度是D瘩欺。我們想求出該平板內(nèi)部必盖,距離中心為x處的場點的電場(x<D/2)。我們過該點俱饿,做圖示的高斯面歌粥。設(shè)該點電場大小為E,則核心方程可能為:

解答:

  • 無限大均勻帶電平面拍埠,電荷面密度為\sigma失驶,則其電場為

解答:

  • 組合帶電體的場強請用疊加原理≡婀海考慮如圖的“組合帶電體”:由一個平面(電荷面密度\sigma)和一個平板(電荷體密度\rho)進行平行組合而成嬉探。則P點的場強為( ) ","

解答:


  • 所有均勻帶電的球體擦耀,球殼,球面涩堤,以及由它們合成的各種“同心”組合體眷蜓,均叫做“球?qū)ΨQ帶電體”。請畫圖表示這類帶電體的場強特征

提示:距離球心為r的各點胎围,場強的大小都相等账磺,并且方向一定在徑向(球心——場點連線方向)上。

  • 某半徑為R的均勻帶電實心球體痊远,設(shè)某場點到球心的距離是r,場強的大小是E∈侠蹋現(xiàn)在做半徑為r的虛擬球面(高斯面)碧聪,則該面的電通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}為( )

解答:

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球殼,總電量為Q液茎,球殼的半徑是R逞姿,球殼厚度可以忽略。我們想求出該球殼內(nèi)部捆等,距離球心為rM處的電場($r 解答:
  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球殼滞造,總電量為Q,球殼的半徑是R栋烤,球殼厚度可以忽略谒养。我們想求出該球殼外部,距離球心為rN處的電場(r>R)明郭。我們過該點买窟,做半徑為r的同心球面作為高斯面。設(shè)該點電場大小為E薯定,則核心方程可能為:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出電場來始绍,觀察其規(guī)律可能為:(請理解、歸納话侄、記憶):均勻帶電薄球殼的外部場強亏推,( )等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場。
    (5) 能
    (6) 不能
    進而借助疊加原理思考:有厚度的空心帶電球體年堆,球外的場強吞杭,( )等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場。
    (7) 能
    (8) 不能变丧。
    則正確的是( )

解答:

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球體篇亭,總電量為Q,球的半徑是R锄贷。我們想求出該球體外部译蒂,距離球心為rN 處的電場(r>R)曼月。我們過該點,做半徑為r的同心球面作為高斯面柔昼。設(shè)該點電場大小為E哑芹,則核心方程可能為:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出電場來,觀察其規(guī)律可能為:(請理解捕透、歸納聪姿、記憶)
    (5) 均勻帶電球體的外部場強,等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場乙嘀。

    (6) 均勻帶電球體的外部場強末购,不等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場。

    則正確的是( )

解答:

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球體虎谢,總電量為Q盟榴,球的半徑是R。我們想求出該球體內(nèi)部婴噩,距離球心為rM處的電場(r(1)E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}, withQ_{\text{內(nèi)}}=\frac{Q}{\frac{4}{3}\pi R^{3}}\cdot\frac{4}{3}\pi r{3}=Q\cdot(\frac{r}{R}){3}(2)E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}(3)E\cdot4\pi r{2}=\frac{4r{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}(4)E\cdot4\pi r^{2}=\frac{4r}{\epsilon_{0}R}$
    結(jié)合以上求解過程知擎场,均勻帶電球體內(nèi)部某場點的場強,可等效為( _ )集中到球心時產(chǎn)生的電場几莽。(請理解迅办、歸納、記憶)
    (5) 所有電荷章蚣。
    (6) 高斯面內(nèi)所有電荷站欺。
    則正確的是( )

解答:

  • 組合帶電體的場強請用疊加原理。在上面幾道題中纤垂,我們總結(jié)歸納了幾條直觀經(jīng)驗镊绪,具體地:
    (1) 均勻帶電的薄球殼,內(nèi)部場強為零洒忧。
    (2) 均勻帶電薄球殼的外部場強蝴韭,等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場。
    (3) 均勻帶電球體的外部場強熙侍,等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場榄鉴。
    (4)均勻帶電球體的內(nèi)部某場點的場強,可等效為高斯面內(nèi)所有電荷集中到球心時產(chǎn)生的電場蛉抓。
    結(jié)合以上四點庆尘,考慮如圖的“組合帶電體”:由一個實心帶電球體和一個空心帶電球殼進行同心組合而成。其中巷送,實心球體電量為Q_{1}驶忌,球殼電量為Q_{2}。應(yīng)用點電荷公式和疊加原理,得帶電體外部場點M處的電場大小為:

解答:

  • 結(jié)合以上四點付魔,考慮如圖的“組合帶電體”:由一個實心帶電球體和一個空心帶電球殼進行同心組合而成聊品。其中,實心球體電量為Q_{1}几苍,球殼電量為Q_{2}翻屈。應(yīng)用點電荷公式和疊加原理,得空腔中場點P處電場大小為:

解答:

  • 如圖的“組合帶電體”:由一個實心帶電球體和一個空心帶電球殼進行同心組合而成妻坝。其中伸眶,實心球體電量為Q_{1},球殼電量為Q_{2}刽宪。應(yīng)用點電荷公式和疊加原理厘贼,得球內(nèi)部場點N處的場強電場大小為E為:

解答:


  • 所有無限長、均勻帶電的細(xì)桿圣拄、空心圓筒嘴秸、實心圓柱,以及由它們合成的各種“同軸”組合體售担,均叫做“圓柱型帶電體”。請圖示這類帶電體的場強特征署辉。

提示:距離軸線為r的各點,場強的大小都相等,并且方向一定與軸線垂直才菠。

  • 某圓柱型帶電體(紅色)依疼,設(shè)某場點到軸線的距離是r,場強的大小是E〔酿校現(xiàn)在過該場點做一個高度為h的虛擬圓柱(藍(lán)色逝淹,高斯面),則該面的電通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}為:( )

解答:

  • 現(xiàn)在有一個無限長桶唐、均勻帶電的細(xì)棒栅葡,電荷線密度為\lambda。我們想求出距離軸線(即細(xì)棒的中心線)為rM處的電場尤泽。我們過該點欣簇,做高度為h的同軸圓柱。設(shè)該點電場大小為E坯约,則核心方程可能為:

解答:

  • 現(xiàn)在有一個無限長熊咽、均勻帶電、半徑為R的圓柱體闹丐,電荷體密度為\rho横殴。我們想求出帶電體外部、距離軸線(即圓柱的中心線)為rM處的電場(r>R)卿拴。我們過該點衫仑,做高度為h的同軸圓柱面梨与。設(shè)該點電場大小為E,則核心方程為:

解答:

  • 現(xiàn)在有一個無限長惑畴、均勻帶電蛋欣、半徑為R的圓柱體,電荷體密度為\rho如贷。我們想求出圓柱帶電體內(nèi)部陷虎、距離軸線(即圓柱的中心線)為rM處的電場($r 解答:

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