以反相器為例瑟匆。

Tool → Library manager
選中一個(gè)庫(kù)
File → new → cell view

1. 原理圖

新建一個(gè)庫(kù)，向庫(kù)中新建cell脸哀，新建cell后會(huì)自動(dòng)彈出原理圖繪制界面

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先畫(huà)原理圖：

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快捷鍵介紹：
（1）添加元器件：i凰狞，左鍵放置、右鍵旋轉(zhuǎn)菲饼、Esc推出載入
（2）查看器件參數(shù)值：選中某元件后按q
（3）保存電路原理圖：x
（4）撤銷(xiāo)上次操作：u
（5）居中顯示原理圖：f
（6）縮小顯示窗口：[
（7）放大顯示窗口：]
（8）退出：Esc
（9）移動(dòng)pin：選中后按鍵盤(pán)的shift+m，單擊右鍵是旋轉(zhuǎn)

注意：pin命名最好大寫(xiě)（因?yàn)橛行┕に囍瞥滔逻M(jìn)行LVS/DRC檢測(cè)的時(shí)候汛兜，只認(rèn)大寫(xiě)）

2. symbol

原理圖畫(huà)完之后巴粪，要建立symbol用于仿真：

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3. testbench

隨后要基于建立的symbol通今，畫(huà)testbench

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畫(huà)testbench時(shí)需要對(duì)具體工作情景建模粥谬，然后選擇相應(yīng)的器件肛根。

從芯片外部引入的電源和地，會(huì)存在封裝上引線(xiàn)的電感漏策，對(duì)于這個(gè)電感的模型是需要模擬出來(lái)的派哲，在電路仿真中需要把這個(gè)電感的模型帶入到testbench中，在這里要添加一個(gè)理想的電感掺喻。

對(duì)于常規(guī)的QFN\QFP的封裝芭届，1um bonding線(xiàn)（金線(xiàn)）等效的電感值在1nH左右、等效阻抗50mΩ感耙，連在引腳上的電源的引線(xiàn)大概有2um左右褂乍，由于地線(xiàn)不是直接bonding到封裝的管腳上，而是bounding到芯片背面大片的金屬地上即硼，這是個(gè)單bond逃片、引線(xiàn)電感會(huì)小一些，一般在1mm以?xún)?nèi)只酥，設(shè)為1nH褥实，阻抗50mΩ

（10）引線(xiàn)命名：l（小寫(xiě)的L）
（11）進(jìn)入下一層：e
（12）返回上一層：ctrl+e
（13）電感：ind，電容：cap裂允，電壓脈沖發(fā)生器：vpulse

對(duì)脈沖發(fā)生器的設(shè)置

觀察輸出波形损离，需要增加元器件電容，作為輸出的負(fù)載绝编。

小電容

4. 仿真

仿真：Tools → analog environment僻澎，這里進(jìn)行了直流仿真和瞬態(tài)仿真

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Print直流工作點(diǎn)的方法：

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畫(huà)圖方法：

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有兩種畫(huà)圖風(fēng)格可供選擇：

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inverter仿真；減小P管寬長(zhǎng)比帶來(lái)的影響（藍(lán)色）十饥，翻轉(zhuǎn)閾值下降了（可以理解成PMOS需要更低的柵極電壓才可以開(kāi)啟）

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5. 版圖設(shè)計(jì)

基于原理圖生成版圖：

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LSW：版圖設(shè)計(jì)時(shí)所有層的信息

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有源層

N阱 N-well

深阱怎棱，先進(jìn)工藝中存在，用于襯底隔離

深N阱（DNW）可以理解為在P-sub上面隔離出來(lái)的一塊獨(dú)立區(qū)域绷跑，里邊可以做需要的device拳恋，有與外界隔離的作用。于一般的PMOS而言砸捏，可以通過(guò)放在不同的NWELL里面來(lái)相互隔離谬运；而對(duì)NMOS而言，它們的well（P-sub）會(huì)通過(guò)wafer的p-sub short在一起（因?yàn)槎际荘型）垦藏，相互串?dāng)_梆暖，互相影響。DNW里邊的P-sub與外界的P-sub是隔離的掂骏，因此能削弱相互之間的影響轰驳。因?yàn)檫@個(gè)阱比一般的N well要深很多，所以稱(chēng)為deep N well。除了電位上的隔離级解，比如說(shuō)有好幾種地電位（0V冒黑、-3.3V、-6V等）勤哗，一般會(huì)把害怕被別的模塊影響（reference電路抡爹、temperature sensor等）或者怕會(huì)去影響別的模塊的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面芒划。

柵極層

N型注入冬竟，制造NMOS 或 二極管

P型注入，制造PMOS

金屬層

本工藝下用到的是1P6M的配置民逼，只用到了M1~M6泵殴，1層多晶硅，6層金屬互連層拼苍，

過(guò)孔層

e.g.：
v1：M1到M2之間的過(guò)孔
v2：M2到M3之間的過(guò)孔

PSUB層袋狞，標(biāo)識(shí)層

文字層

dummy層

頂層厚金屬

（14）顯示版圖的所有層次：shift + f
（15）以框圖顯示版圖：ctrl + f

打散Pcell：

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設(shè)置格點(diǎn)分辨率：

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顯示連線(xiàn)關(guān)系：
options→display

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（16）連線(xiàn)快捷鍵：p（敲p后點(diǎn)擊連接起始端，選擇要連的層映屋，再單擊結(jié)束端苟鸯，再回車(chē)結(jié)束）
（17）尺子：k
（18）清除尺子：shift + k
（19）畫(huà)矩形：r
（20）逐步縮小版圖：shift + z
（21）只看某一層：(例如只看M1)LSW窗口選中M1，點(diǎn)擊NV棚点，點(diǎn)擊版圖界面早处，敲f
（22）整體移動(dòng)版圖某區(qū)域，且相應(yīng)線(xiàn)拉伸：先將selection mode（options→selection）由full改為partial瘫析，然后左鍵框選相應(yīng)區(qū)域砌梆，敲s后拖動(dòng)到相應(yīng)位置后，左鍵取消選中
襯底接觸環(huán)（N阱保護(hù)環(huán)）贬循，guard ring

6. 版圖驗(yàn)證（DRC/LVS）