一般認(rèn)為 5 奈米已超出晶體管硅材料的物理極限，但美國能源部旗下勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 日發(fā)表一項(xiàng)研究成果咆繁，以科學(xué)家 Ali Javey 為首的團(tuán)隊(duì)表示已成功創(chuàng)造 1 奈米晶體管讳推，長度大約是人類頭發(fā)的十萬分之一。
研究團(tuán)隊(duì)指出玩般，制程成功微縮至 1 奈米就在于奈米碳管與二硫化鉬（MoS2）等材料的運(yùn)用银觅。1 奈米大約是 2～3 個(gè)原子直徑，而奈米碳管管壁管壁僅一個(gè)原子厚坏为，早已被視為有望取代硅究驴，借以提升晶體管性能镊绪、超越摩爾定律的關(guān)鍵材料。而常被作為引擎潤滑油主要成分的二硫化鉬（MoS2）近年也被視為新興材料廣泛應(yīng)用于奈米晶體管洒忧、LED蝴韭、雷射與太陽能電池，也成了此次研究成功的重要關(guān)鍵要素熙侍。
場效晶體管透過汲極榄鉴、源極間電流的流動(dòng)與閘極的控制形成 0 或 1 的數(shù)位訊號(hào)，而奈米制程所指的線寬就是閘極長度蛉抓。電子透過硅的流動(dòng)比二硫化鉬更輕庆尘、阻力更小，這對(duì)閘極長度在 5 奈米或線寬更長時(shí)是優(yōu)點(diǎn)巷送，但在 5 奈米線寬以下驶忌，卻會(huì)出現(xiàn)量子力學(xué)里所謂的量子穿隧效應(yīng)，部分電子可能穿透閘極產(chǎn)生漏電流笑跛，甚至讓晶體管整個(gè)無法關(guān)閉造成失控付魔。但透過二硫化鉬較硅來得重的特性，在較小線寬之下堡牡，還能有效控制電子流抒抬。
不過這一項(xiàng)研究仍在初步階段，研究主持人同時(shí)也是加州大學(xué)柏克萊分校電子工程及計(jì)算機(jī)科學(xué)教授的 Ali Javey 自己也指出晤柄，該實(shí)驗(yàn)尚未轉(zhuǎn)移至芯片上擦剑、將其放大數(shù)十億倍，但 Ali Javey 認(rèn)為芥颈，這是一個(gè)啟發(fā)惠勒，摩爾定律不會(huì)只停在 5 奈米，透過半導(dǎo)體新材料的應(yīng)用與持續(xù)的研究爬坑，摩爾定律或?qū)⒛苎永m(xù)下去纠屋。
