GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用,GaN 在 600V/3KW 以下的應(yīng)用場(chǎng)合更占優(yōu)勢(shì)魄幕,在微型逆變器相艇、伺服器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)纯陨、UPS等領(lǐng)域與傳統(tǒng)的MOSFET或IGBT展開競(jìng)爭(zhēng)坛芽,讓電源產(chǎn)品更為輕薄留储、高效。
氮化鎵雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅元件高出一大截靡馁,但其開關(guān)速度欲鹏、切換損失等性能指標(biāo),也是硅元件難以望其項(xiàng)背的臭墨。特別是近年來隨著氮化鎵廣泛被應(yīng)用于手機(jī)快充、電源以及5G市場(chǎng)膘盖,氮化鎵即將引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革命的呼聲越來越高胧弛。