?在感應(yīng)耦合等離子體刻蝕的工藝中俭正，影響刻蝕形貌的因素很多奸鬓，如：工藝參數(shù)里有源功率、RF功率掸读、流量比串远、工作壓力、He壓寺枉、內(nèi)壁溫度抑淫。另外，chiller到溫時(shí)間姥闪、掩模形貌，甚至反應(yīng)室的內(nèi)壁清潔度都會(huì)影響到刻蝕的效果砌烁。此文簡(jiǎn)單記錄并分析影響ICP刻蝕效果的因素筐喳。
一、華慧高芯ICP設(shè)備
?
二函喉、 影響因素
（一）避归、參數(shù)的影響
1. ICP功率
ICP功率源主要的作用是提高等離子體的密度，離子通量管呵。ICP功率增加梳毙，等離子體的密度增加，離子通量增加捐下，刻蝕的速率也會(huì)增加账锹，相應(yīng)的刻蝕的選擇比也會(huì)隨之增加。但是達(dá)到一定的閾值后坷襟，ICP功率的增加會(huì)影響到chamber內(nèi)部的溫度奸柬，造成局部溫度升高，如果抗蝕劑的抗刻蝕能力偏弱婴程，就會(huì)導(dǎo)致圖形異常廓奕。
2. RF偏壓功率
RF功率主要控制離子轟擊的力度，對(duì)于形貌影響較大档叔，較大的RF power會(huì)加速掩模的消耗桌粉，產(chǎn)生襯底層的高損傷。
3. 工作氣壓
ICP的工作氣壓一般小于50mTorr衙四，工作壓力對(duì)于形貌的影響很大铃肯，是個(gè)復(fù)雜的跳變曲線影響，會(huì)隨刻蝕氛圍的改變而改變届搁，非常復(fù)雜缘薛。一般來(lái)說(shuō)典型的base line工作壓力在40mTorr之下窍育。工作壓力的減少，也會(huì)提高粒子的平均自由程宴胧，提升方向性漱抓。值得一提的是Cl基氣體通常比F基氣體的離子方向性更好。
工作壓力對(duì)于刻蝕影響恕齐，不同的材料和不同的氣體流量比差別很大乞娄。對(duì)于三五族等需要化學(xué)氣氛為主導(dǎo)的刻蝕，氣壓的影響是偏線性的显歧，而對(duì)于金屬等仪或，以離子轟擊為主導(dǎo)的刻蝕，氣壓的影響則沒(méi)有明顯的差異士骤。
4. 氣體
氣體影響刻蝕的結(jié)果的因素分為兩點(diǎn)范删，第一氣體的組分，以F基氣體為例拷肌，我們更看重F/C的比例到旦，以此來(lái)區(qū)分它的作用，是主刻蝕還是主保護(hù)巨缘。換個(gè)思維方式添忘，我們也把氣體分為刻蝕氣體，抑制氣體若锁，稀釋氣體搁骑，稀釋氣體一般為惰性氣體，可以增強(qiáng)等離子體的穩(wěn)定性又固，改善刻蝕的均勻性或提高選擇比或提高離子的轟擊作用仲器。
（二）、掩膜的影響
刻蝕終究是圖形轉(zhuǎn)移的過(guò)程口予，因此掩膜的質(zhì)量對(duì)于刻蝕非常的重要娄周。我們常用的掩膜有光刻膠、SiO2和金屬等沪停。一個(gè)好的掩膜的要求底部無(wú)殘留煤辨，側(cè)壁光滑，陡直度高木张，抗溫众辨，抗轟擊能力強(qiáng)。
掩膜的陡直度和側(cè)壁光滑程度直接影響刻蝕的陡直度和光滑程度舷礼。雖然可以通過(guò)刻蝕參數(shù)來(lái)改善上述刻蝕形貌鹃彻，但對(duì)于整體的工藝流程來(lái)講，效果不及直接改善掩膜來(lái)的迅速妻献。因此掩膜工藝對(duì)于刻蝕來(lái)講蛛株，非常的重要团赁。
我們?nèi)粘Ｓ玫降乃械难谀さ闹苽鋷缀醵际菑墓饪棠z制備開(kāi)始的。對(duì)于光刻膠工藝谨履，后續(xù)的堅(jiān)膜的工藝過(guò)程尤為重要欢摄，堅(jiān)膜可以去掉光刻膠中殘留的溶劑，增強(qiáng)光刻膠和襯底的粘附力笋粟，提高光刻膠的抗高溫的能力和抗刻蝕的能力怀挠。我們通常所用到的堅(jiān)膜的溫度，需要高于前烘和后烘的溫度害捕，堅(jiān)膜的過(guò)程也可以消除光刻膠內(nèi)部的細(xì)小的缺陷绿淋。由于表面張力，光刻膠變得光滑化尝盼，可以修正圖形的邊緣的毛糙吞滞。以AZ光刻膠為例，一般來(lái)說(shuō)堅(jiān)膜后盾沫，光刻膠厚度會(huì)減少10%~15%左右冯吓。
END（若有價(jià)值，還望您辛苦疮跑，點(diǎn)贊支持一下，謝謝）
不積珪步凸舵，無(wú)以至千里祖娘；不積細(xì)流，無(wú)以成江海啊奄。做好每一份工作渐苏，都需要堅(jiān)持不懈的學(xué)習(xí)。
