電子電路學(xué)習(xí)筆記(16)——晶振電路的電容

一纸型、簡(jiǎn)介

1.1 匹配電容

無(wú)源晶振電路中不只是有一個(gè)晶振骄恶,為了滿足諧振條件讓晶振起振正常工作食铐,通常還有兩個(gè)電容,兩個(gè)電容一般稱為“匹配電容”或者“諧振電容”僧鲁。一般外接的這兩個(gè)電容是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近于負(fù)載電容 (晶振的負(fù)載電容是已知的虐呻,在出廠時(shí)已經(jīng)定下來(lái)了象泵,一般是幾十pF)。

要求高的場(chǎng)合還要考慮IC輸入端的對(duì)地電容铃慷。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍单芜。這樣并聯(lián)起來(lái)就接近負(fù)載電容了蜕该。

電容值的大小影響諧振頻率(也就是會(huì)發(fā)生頻偏)犁柜,一般情況下,增大電容會(huì)使震蕩頻率下降堂淡,減小電容會(huì)使震蕩頻率升高馋缅。

1.2 負(fù)載電容

晶振有一個(gè)重要的參數(shù),即負(fù)載電容CL(Load capacitance)绢淀,它是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容 (不是晶振外接的匹配電容)萤悴,主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻,與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率皆的,通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容覆履,就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。

二费薄、負(fù)載電容計(jì)算

2.1 電容三點(diǎn)式電路

一般單片機(jī)都會(huì)有這樣的電路硝全。晶振的兩個(gè)引腳與芯片(如單片機(jī))內(nèi)部的反相放大器相連接,再結(jié)合外部的匹配電容CL1楞抡、CL2伟众、R1、R2召廷,組成一個(gè)皮爾斯振蕩器(Pierce oscillator)凳厢。


  • U1: 增益很大的反相放大器。
  • X1: 晶體竞慢。相當(dāng)于電容三點(diǎn)式電路里面的電感先紫。
  • CL1、CL2: 匹配電容筹煮。是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容泡孩,接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。以接地點(diǎn)即分壓點(diǎn)為參考點(diǎn)寺谤,輸入和輸出是反相的仑鸥,但從并聯(lián)諧振回路即石英晶體兩端來(lái)看,形成一個(gè)正反饋以保證電路持續(xù)振蕩变屁,它們會(huì)稍微影響振蕩頻率眼俊,主要用與微調(diào)頻率和波形,并影響幅度粟关。
  • R1: 反饋電阻(一般≥1MΩ)它使反相器在振蕩初始時(shí)處于線性工作區(qū)疮胖。
  • R2: 限流電阻,與匹配電容組成網(wǎng)絡(luò),提供180度相移澎灸,同時(shí)起到限制振蕩幅度院塞,防止反向器輸出對(duì)晶振過(guò)驅(qū)動(dòng)將其損壞。

2.2 負(fù)載電容計(jì)算公式

負(fù)載電容的公式如下所示:
C_L = \frac{C_{L1}×C_{L2}}{C_{L1}+C_{L2}} + C_{ic}+△C
等于
C_L = \frac{C_{L1}×C_{L2}}{C_{L1}+C_{L2}} + C_{stray}
其中性昭,

  • C_{ic} :為集成電路內(nèi)部電容拦止。
  • △C :為PCB走線電容C_{PCB}
  • C_{stray} :為電路板雜散電容C_{ic}+△C糜颠。

Cic + △C 一般為 3 - 5 pF

三汹族、匹配電容計(jì)算

3.1 匹配電容計(jì)算公式

為了保持晶體的負(fù)載平衡,在實(shí)際應(yīng)用中其兴,一般要求C_{L1}=C_{L2}顶瞒,所以進(jìn)一步可以得到下式:
C_{L1} = C_{L2} = 2 × (C_L - C_{ic} -△C)
Cic + △C 一般為 3 - 5 pF

3.2 計(jì)算示例

C_L負(fù)載電容(load capacitance),常用的標(biāo)準(zhǔn)值有12.5 pF元旬,16 pF榴徐,20 pF,30pF匀归,負(fù)載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線性的坑资,負(fù)載電容變小時(shí),頻率偏差量變大朋譬;負(fù)載電容提高時(shí)盐茎,頻率偏差減小。

STM32F103系列芯片使用32.768kHz晶振典型應(yīng)用徙赢,負(fù)載電容C_L取6pF時(shí)字柠,當(dāng)C_{stray}取2pF,則
C_{L1} = C_{L2} = 2 × (6 - 2) pF = 8pF


四狡赐、選取原則

  1. 選擇NPO/COG高頻材質(zhì)的貼片陶瓷電容(外觀看起來(lái)是白色的)窑业。
  2. 盡量選擇小封裝的電容(封裝小的器件寄生參數(shù)小)枕屉。
  3. 因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性常柄,所以最好按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。
  4. 在許可范圍內(nèi)搀擂,C1西潘,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定哨颂,但將會(huì)增加起振時(shí)間喷市。
  5. 最好C2值大于C1值,這樣可使上電時(shí)威恼,加快晶振起振品姓。

? 由 Leung 寫于 2021 年 11 月 10 日

? 參考:晶振負(fù)載電容外匹配電容計(jì)算與晶振振蕩電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
    晶體(crystal寝并、無(wú)源晶振)兩端電容取值計(jì)算
    STM32 外部晶振電路設(shè)計(jì)和匹配
    晶振外匹配電容應(yīng)該怎樣選取

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