終于來到了令人わくわく的編程環(huán)節(jié)了橘券。
有好幾個 PPT 卿吐，但是因為都是沒公開的嗡官，我也不好放在這里，如果有需要磺樱，適當引用其內容婆咸。
1. 流水燈
又是一堆陌生名詞，先來了解一下：
MOSFET
金屬-氧化物半導體場效應晶體管
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
查了半天我發(fā)現要深入理解這東西還要去修一門叫做 半導體物理與器件原理 的課程块差。
然后要修這門課程還要先修 統(tǒng)計物理 和 量子力學憨闰。
吐血……
半導體物理基礎-概念梳理
硅，鍺轧坎，等純凈晶體：本征半導體泽示。
價電子獲得足夠能量械筛，擺脫共價鍵的束縛，成為自由電子：本征激發(fā)。這個過程產生 電子-空穴 對厌丑。電子脫離價帶怒竿，進入導帶。
激發(fā)的逆過程：復合爷辱。
本征半導體導電能力很弱饭弓。
加入少量其他元素而顯著提高其導電能力：摻雜媒抠。
通過摻雜得到雜質半導體：
{
N型：摻入 5 價原子趴生，提供額外的自由電子，載流子主要來自施主電離（常溫即可電離）苍匆，故導電性與溫度關系不大浸踩。
【N代表 Negative，載流子是帶負電的電子】
P型 ：摻入 3 價原子球订，提供額外空穴瑰钮。受主電離。
【P代表 Positive开睡，載流子是帶正電的空穴】
}
通過摻雜工藝苟耻，可以將半導體一邊變?yōu)镻型凶杖，另一邊變?yōu)镹型智蝠，那么在兩部分的交接面處就會產生一個特殊性質的薄膜，稱為 PN結解虱。
【形成原理：】
N區(qū) 的多子（多數載流子）為電子漆撞，而P區(qū)的多子為空穴浮驳，由于載流子濃度差，出現了擴散現象（載流子從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域遷移）员凝。在交接面出相遇時奋献，電子與空穴復合瓶蚂，從而P區(qū)界面呈現正電性，N區(qū)呈現負電性（還有一種抽象的解釋是電子和空穴復合之后使離子“裸露”瞳别，見下圖），之間形成電場（從N區(qū)指向P區(qū)）；電場會阻礙兩區(qū)各自的多子擴散祟敛，同時促進少子漂移（少數載流子在電場作用下遷移）疤坝，這個過程最終會趨于動態(tài)平衡，在這個電荷區(qū)域形成所謂的PN結馆铁。
這里談談我自己的一種抽象：
自由電子在導帶跑揉，而空穴在價帶（導帶和價帶不是空間概念，而是能量概念埠巨，但是我覺得可以按照空間來類比理解）在一定程度上他們是互不影響的历谍，可以認為分別在兩個管道中流動。所以可以按照下圖理解：
【PN結的單向導電性】
以下很多也是基于個人理解的望侈，教材太坑，根本看不懂在說什么勋桶。
算了脱衙，棄坑了，這個東西一時半會兒看不完的例驹，這個MOSFET還是先去抽象地理解它吧岂丘。（吐血）
MOSFET（抽象）：將輸入電壓的變化反映為輸出電流變化的器件。
轉來轉去這么半天我已經忘了我為什么要去了解這個 MOSFET 了眠饮，哦，對了铜邮，一開始是推挽電路仪召。
貼個鏈接算了。
如何正確的理解漏極開路輸出跟推挽輸出松蒜？ - 知乎
感覺做了半天無用功啊啊啊啊叭用！＝彰纭召娜！
繼續(xù)看教程吧。
