下題選擇C
如果選項中沒有理論公式的答案媒熊，就用實踐公式計算芦鳍。
下方題目中流水線建立時間是9.
超標(biāo)量流水線中的度相當(dāng)于分組柠衅。
紅框中流水線執(zhí)行時間指的是理論時間。
流水線最大吞吐率中的時間指的是實踐時間喝峦。
最大加速比=k，k是指令的分段數(shù)漩怎。
如果是單數(shù)勋锤，比如15條指令叁执，那就是4谈宛，4吆录，4恢筝，3撬槽，然后用向上取整的方式侄柔，第四組依舊是4來進行計算暂题。
cache：高速緩存挂滓。
cache按內(nèi)容存儲纺念，可能連續(xù)也可能不連續(xù)陷谱；cache的量級一般是M烟逊，K宪躯。
LFU比LRU多了一個統(tǒng)計變量访雪。
全相聯(lián)映像當(dāng)發(fā)現(xiàn)cache中0頁已經(jīng)有內(nèi)容坝橡，就會找下一頁计寇；直接相聯(lián)映像當(dāng)cache0頁有內(nèi)容番宁，不會找其他頁贝淤，依舊往0頁插入內(nèi)容（每個區(qū)的一個頁都存入cache的0頁播聪，以此類推）离陶，所以沖突率高招刨。
兩個方法各自的缺點：全相聯(lián)線路復(fù)雜度高沉眶，直接相聯(lián)沖突率高谎倔。
組和組是直接相聯(lián)片习，組內(nèi)的頁是全相聯(lián)藕咏。
下圖分別是對芯片橫排，豎排連接卦碾。
存儲單元個數(shù)=最大值-最小值+1
總?cè)萘?/b>=存儲單元個數(shù)*存儲內(nèi)容
單位芯片容量=總?cè)萘?單位芯片個數(shù)
單位芯片個數(shù)=總?cè)萘?單位芯片容量
磁盤：順序存儲
單緩沖區(qū)：需要及時處理坯沪。
總線是半雙工的線路丐一。
全雙工：同一時刻允許多個設(shè)備發(fā)送库车，多個設(shè)備接收柠衍。
單工：同一時刻只允許一個設(shè)備發(fā)送珍坊，一個設(shè)備接收阵漏。
奇偶校驗/CRC循環(huán)校驗：只能檢錯不能糾錯；
海明校驗：既能檢錯又能糾錯虑乖。
修改為最接近的合法編碼疹味。
000和100的碼距是1
CRC循環(huán)校驗：以異或的形式來求解，不同就是1洪灯，相同就是0.
在信息位后面補上k-1個0，以模2除法的方式進行計算铅檩，最后得到的余數(shù)就是循環(huán)校驗碼昧旨。
循環(huán)校驗發(fā)送的內(nèi)容：信息位+校驗位兔沃，接收方用接收到的內(nèi)容（生成多項式）乒疏，看有沒有被整除怕吴，被整除說明沒有問題械哟，沒有整除說明有問題暇咆。
公式法：2^r≥m+r+1，m=信息位數(shù)扯旷。
表格法：信息1011的信息位是4位钧忽，在表格中先放校驗碼耸黑，依次放在2^0,2^1,2^2大刊，然后插空放4個信息位缺菌，發(fā)現(xiàn)3個校驗碼就可以滿足伴郁，所以校驗位（冗余位）是3.
冗余位就是校驗位蛾绎。
