1. 繪制優(yōu)化
卡頓原因：16ms需要繪制一幀，如果主線程操作過多宛徊，會導(dǎo)致vsync到來時數(shù)據(jù)沒有準(zhǔn)備號，導(dǎo)致丟幀逻澳，應(yīng)用卡頓闸天。
overdraw ： 不設(shè)置不必要的背景， cliprect繪制可見部分
減少層級斜做，使用merge/include/stub
不要主線程做耗時操作
內(nèi)存使用不當(dāng)苞氮，頻繁gc，影響主線程執(zhí)行
工具： HirearchyView陨享、Systrace葱淳、TraceView、GPU profile
2. 內(nèi)存優(yōu)化
android gc：gc類型抛姑，gc算法赞厕、堆分配。
使用合理的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)定硝，例如SparseArrary系列(key為整型)皿桑，arraymap代替hashmap
少使用枚舉
頻繁分配的可以創(chuàng)建線程池，要避免內(nèi)存泄漏
不要在ondraw做分配對象
對bitmap的使用蔬啡，注意使用insamplesize诲侮，inbitmap，rgb格式箱蟆。
注意圖片資源放置的位置沟绪。
使用完的ui資源圖片設(shè)置為null。
3. 內(nèi)存泄漏
原因：資源未釋放(cursor, file, 廣播)空猜，listenter未解注冊绽慈，靜態(tài)變量，內(nèi)部類辈毯，handler坝疼，長時間運行的后臺線程。
解決：heap dumper谆沃，mat. 關(guān)注大對象钝凶，activity，fragment唁影。使用select語句耕陷，使用兩次內(nèi)存對比圖等。
