市場趨勢

1. ★★★集邦咨詢：第四季DRAM合約價二次下修钥顽，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大（181204）

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新報告盐捷，今年第四季DRAM價格正式反轉(zhuǎn)向下余赢，11月合約價甚至出現(xiàn)二次下修的狀況靠闭，以目前成交方式來看动雹，已有部分比重的合約價改以月(monthly deal)方式進(jìn)行議價许赃，顯示買方對于DRAM價格后勢看法悲觀，預(yù)計2019年第一季DRAM合約價跌幅將持續(xù)擴(kuò)大恕洲。

2. ★★★高位不再塔橡！內(nèi)存價格明年Q1將繼續(xù)下跌10%(181206)

據(jù)資深調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange（集邦科技）的數(shù)據(jù)，剛過去的11月霜第，4GB/8GB容量的PC DRAM內(nèi)存芯片合約價環(huán)比下滑了1.6%到3.2%個百分點(diǎn)葛家。

經(jīng)調(diào)整后的預(yù)期是，今年第四季度泌类，DRAM均價將下滑7~10%癞谒，明年一季度繼續(xù)下滑10%底燎。此前在今年伊始，集邦的預(yù)測僅僅是年跌5%左右弹砚。

其中双仍，分析機(jī)構(gòu)著重強(qiáng)調(diào)，PC DRAM產(chǎn)品對需求和供應(yīng)情況的變化最為敏感桌吃。供應(yīng)的持續(xù)增長朱沃，低迷逆風(fēng)的季節(jié)以及過剩的庫存，將使價格較本季度的下跌更為劇烈茅诱，服務(wù)器同理可考逗物。

3.DRAM今年可望成長39%，明年DRAM市場恐將反轉(zhuǎn)減少1%（20181214）

DRAM今年可望成長39%瑟俭，將是整個IC產(chǎn)業(yè)成長最快速的市場翎卓，不過，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期摆寄，明年DRAM市場恐將轉(zhuǎn)為減少1%失暴。

受惠產(chǎn)品平均售價勁揚(yáng)，DRAM市場繼2017年成長77%微饥，2018年可望持續(xù)成長39%逗扒，將連續(xù)兩年位居IC產(chǎn)業(yè)成長最快速的市場。

DRAM于2013年及2014年也曾居IC產(chǎn)業(yè)成長最快速的市場畜号；值得注意的是缴阎，過去6年中，DRAM曾是IC產(chǎn)業(yè)成長最快速的市場简软，也曾逼近末位蛮拔，IC Insights表示，這顯示DRAM非常不穩(wěn)定及周期性痹升。

IC Insights指出建炫，在經(jīng)歷兩年強(qiáng)勁成長后，DRAM供應(yīng)商三星(Samsung)疼蛾、SK海力士(Hynix)及美光(Micron)紛紛擴(kuò)充產(chǎn)能肛跌，并開始加速增產(chǎn)，減緩供需緊張情況察郁。

此外衍慎，因不確定的經(jīng)濟(jì)及貿(mào)易情勢緊張影響，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器建置開始放緩皮钠，IC Insights預(yù)期稳捆，2019年DRAM市場恐將減少1%，在IC產(chǎn)業(yè)成長排名中將逼近末位麦轰。

4.★★★美方正式將2000億美元中國貨加稅日期延至3月1日（20181214）

據(jù)彭博報道乔夯，美方將正式?jīng)Q定砖织，將針對總值2,000億美元中國進(jìn)口商品提升關(guān)稅的生效日期延遲至3月1日，即中美峰會上同意暫緩提升關(guān)稅90日的決定末荐，日期由公布當(dāng)日計侧纯，而非原定加稅日期明年1月1日起計。

彭博引述消息人士稱甲脏，聯(lián)邦公報（Federal

Register）將于周五刊發(fā)通知眶熬，將總值2,000億美元中國進(jìn)口商品的關(guān)稅稅率從10%提高到25%的生效日期延遲至明年3月1日。上述決定鞏固于12月1日舉行的“習(xí)特會”后的決定块请，中美領(lǐng)導(dǎo)人同意關(guān)稅休戰(zhàn)90日聋涨，并在此期間繼續(xù)談判，以期希達(dá)成貿(mào)易協(xié)議负乡。原先美國定加關(guān)稅生效日期為明年1月1日。

5. 2019年DRAM市場規(guī)模驚現(xiàn)下滑脊凰，預(yù)警產(chǎn)業(yè)將周期性下跌（20181217）

近期存儲市場表現(xiàn)疲軟抖棘，市場客戶接單有限，據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket報價狸涌，2018年NAND Flash價格已累計跌幅超過60%切省，由于價格持續(xù)下滑，年底部分閃存產(chǎn)品價格有所反彈帕胆，主要受市場貨源有限的影響朝捆。除了NAND Flash價格大跌，DRAM價格也在下滑懒豹，預(yù)計2019上半年DRAM跌價繼續(xù)芙盘，恐將影響市場規(guī)模下滑。

近幾年脸秽，受存儲器價格持續(xù)上漲的影響儒老，存儲市場規(guī)模持續(xù)走高，尤其是DRAM市場規(guī)模增速較大记餐。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)驮樊，預(yù)估2018全年全球DRAM市場規(guī)模繼2017年大幅成長77%后，再年增39%片酝。然而囚衔，受DRAM價格下滑影響，預(yù)估2019年DRAM市場規(guī)模將下滑1%雕沿。

技術(shù)熱點(diǎn)

1.★先進(jìn)工藝研發(fā)趨緩练湿，材料和封裝成半導(dǎo)體行業(yè)新熱點(diǎn)（181204）

前段時間，晶圓代工業(yè)掀起了一場“撤退潮”晦炊。由于摩爾定律的每年工藝微縮愈發(fā)困難鞠鲜，導(dǎo)致研發(fā)投入與產(chǎn)出不均衡宁脊，聯(lián)電(UMC)、格芯(Globalfoundries)等行業(yè)巨頭紛紛表示暫停7納米以下先進(jìn)工藝的研發(fā)贤姆，專注優(yōu)化現(xiàn)有技術(shù)和市場榆苞。行業(yè)分析師認(rèn)為，隨著先進(jìn)工藝陷入少數(shù)玩家的寡頭壟斷領(lǐng)域霞捡，半導(dǎo)體材料和封裝技術(shù)將成為下一波市場熱點(diǎn)坐漏。

1981年，Terry Brewer 博士發(fā)明抗反射涂層(Anti-Reflective Coatings碧信，簡稱“ARC”)赊琳，為半導(dǎo)體光刻工藝帶來了變革，他創(chuàng)立的Brewer Science 公司如今依舊在為高速輕型電子設(shè)備的開發(fā)創(chuàng)新材料和工藝砰碴，主要應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)光刻工藝躏筏、晶圓級封裝和印刷電子等。

Brewer Science高層日前來到中國呈枉，向《電子工程專輯》等行業(yè)媒體介紹了其BrewerBOND?臨時鍵合材料系列的最新成員趁尼，以及其新的 BrewerBUILD? 旋涂封裝材料產(chǎn)品線的首款產(chǎn)品，致力于以解決制造商不斷出現(xiàn)的晶圓級封裝挑戰(zhàn)猖辫。

2. 新型金屬空氣晶體管誕生 再為摩爾定律續(xù)命20年（181210）

人們普遍認(rèn)為酥泞，隨著物理極限的逼近，摩爾定律啃憎，即集成電路上可容納的硅晶體管的數(shù)目每兩年便會增加一倍芝囤，將在 2025 年左右失效。但澳大利亞墨爾本皇家理工大學(xué)（RMIT University）的研究人員認(rèn)為辛萍，他們開發(fā)的金屬基場發(fā)射空氣通道晶體管（ACT）可以在二十年內(nèi)保持摩爾定律悯姊。

ACT 器件無需半導(dǎo)體。相反贩毕，它使用兩個面內(nèi)對稱的金屬電極（源極和漏極）隔開小于 35 納米的氣隙挠轴，底部用金屬柵極調(diào)節(jié)發(fā)射場。納米級氣隙寬度小于空氣中電子的平均自由路徑耳幢，因此電子可以在室溫下穿過空氣而不會散射岸晦。

“與傳統(tǒng)的必須采用硅作為基底的晶體管不同，我們的器件采用了一種自底向上的制造方法睛藻。如果能夠確定最佳的氣隙启上，我們就能夠建立完整的 3D 晶體管網(wǎng)絡(luò)〉暧。”12 月在Nano Letters 上發(fā)表的關(guān)于新晶體管的論文的第一作者 Shruti Nirantar 說冈在。“這意味著我們可以不再追求小型化按摘，而是專注于研究緊湊的 3D 架構(gòu)包券，這使每單位體積上能有更多的晶體管表悬÷福”

3. ★★★三星方篮、英特爾加快嵌入式MRAM商用腳步（20181212）

全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)晾剖、三星(Samsung)在上周舉辦的第64屆國際電子組件會議(IEDM)上，發(fā)表嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)侍郭。

英特爾介紹整合于其22FFL工藝的自旋轉(zhuǎn)移力矩(STT)-MRAM非揮發(fā)內(nèi)存之關(guān)鍵特性询吴，并指稱這是“首款基于FinFET的MRAM技術(shù)”。英特爾表示該技術(shù)目前已經(jīng)“生產(chǎn)就緒”(production-ready)亮元，但并沒透露有哪一家代工廠采用這一工藝猛计；不過，根據(jù)多個消息來源顯示爆捞，該技術(shù)已經(jīng)用于目前出貨中的產(chǎn)品了奉瘤。

同時，三星(Samsung)介紹在其28nm FDSOI工藝制造的STT-MRAM煮甥。從可擴(kuò)展性毛好、形狀可調(diào)整以及磁可擴(kuò)展性方面來看，STT-MRAM被視為是目前最佳的MRAM技術(shù)苛秕。

4. ★★研究人員開發(fā)出單個銅原子磁性內(nèi)存技術(shù)（20181213）

內(nèi)存技術(shù)的每一次創(chuàng)新都源于基礎(chǔ)研究。IBM Research的研究團(tuán)隊(duì)最近開發(fā)出一種新技術(shù)找默，能夠控制單個銅原子的磁性艇劫，從而為以單個原子核進(jìn)行儲存和處理信息的未來鋪路。不過惩激，該技術(shù)要能實(shí)現(xiàn)商業(yè)化還有很長的路要走店煞。

在最近發(fā)布于《自然納米科技》(Nature Nanotechnology)雜志上的一篇論文中，IBM Research科學(xué)家Christopher Lutz和Kai Yang描述如何透過逐一的原子執(zhí)行核磁共振(NMR)风钻，從而控制單個原子核的磁性顷蟀。核磁共振是確定分子結(jié)構(gòu)的重要工具，而Lutz和Yang的研究成就在于首次使用掃描穿隧顯微鏡(STM)實(shí)現(xiàn)核磁共振骡技。STM是IBM獲得諾貝爾獎的一項(xiàng)發(fā)明鸣个，可用于個別觀察和移動原子。

Lutz在接受《EE Times》電話采訪時解釋：“我們正展開納米技術(shù)的基礎(chǔ)研究布朦，期望克服個別原子級的極限囤萤。由于使用了掃描穿隧顯微鏡技術(shù)，使我們第一次可以在看到原子并為其重新定位的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)是趴√紊幔”

5. ★★★英特爾10nm處理器與核內(nèi)顯示架構(gòu)曝光 力推3D封裝技術(shù)（20181213）

處理器龍頭英特爾 （intel）在 「2018 Architecture Day」 上，展示了一系列仍在研發(fā)中唆途，10 納米制程支持 PC富雅、資料中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中人工智能和加密加速功能的下一代「Sunny Cove」 處理器架構(gòu)掸驱，另外也展出了新一代核內(nèi)顯示架構(gòu)設(shè)計，以及業(yè)界首創(chuàng)的 3D 邏輯芯片封裝技術(shù)没佑，試圖宣示英特爾仍是目前處理器霸主的決心毕贼。

6. ★★★Intel打造Foveros3D封裝：不同工藝、芯片共存（20181213）

越來越艱難的工藝制程图筹，越來越復(fù)雜的芯片設(shè)計帅刀，未來何去何從？作為行業(yè)龍頭远剩，Intel在設(shè)計全新CPU扣溺、GPU架構(gòu)和產(chǎn)品的同時，也提出了一種新的瓜晤、更靈活的思路锥余。

架構(gòu)日活動上，Intel展示了一種名為“Foveros”的全新3D芯片封裝技術(shù)痢掠，首次為CPU處理器引入3D堆疊設(shè)計驱犹，可以實(shí)現(xiàn)芯片上堆疊芯片，而且能整合不同工藝足画、結(jié)構(gòu)雄驹、用途的芯片，相關(guān)產(chǎn)品將從2019年下半年開始陸續(xù)推出淹辞。

Intel表示医舆，該技術(shù)提供了極大的靈活性，設(shè)計人員可以在新的產(chǎn)品形態(tài)中“混搭”不同的技術(shù)專利模塊象缀、各種存儲芯片蔬将、I/O配置，并使得產(chǎn)品能夠分解成更小的“芯片組合”央星。

7. 美光12GbLPDDR4X通過聯(lián)發(fā)科HelioP90平臺驗(yàn)證（20181214）

據(jù)臺媒報道霞怀，美光單片12Gb LPDDR4X已通過聯(lián)發(fā)科Helio P90智能型手機(jī)平臺參考設(shè)計的驗(yàn)證。使用美光LPDDR4X技術(shù)的新款聯(lián)發(fā)科Helio P90芯片組預(yù)計于2019年夏季進(jìn)入量產(chǎn)莉给，提高智能型手機(jī)搭載的容量和性能毙石。

美光上個月宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)12Gb LPDDR4x，采用的是1y nm工藝技術(shù)颓遏，數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)4266Mbps胁黑，同時功耗降低10%≈莶矗基于8顆12Gb LPDDR4X單芯片封裝丧蘸，美光LPDDR4X容量可高達(dá)12GB，預(yù)計2019年高端旗艦機(jī)搭載的LPDDR4X有望從6GB/8GB升級至8GB/12GB。

8. 新一代3D封裝技術(shù)走向異構(gòu)集成（20181217）

英特爾(Intel)日前舉行“架構(gòu)日”(Architecture Day 2018)活動力喷，展示采用面對面堆棧邏輯的新一代3D封裝技術(shù)刽漂，預(yù)計將于明年下半年面世。英特爾首席架構(gòu)師Raja Koduri除了擘劃未來的運(yùn)算架構(gòu)愿景弟孟，并介紹新的處理器微架構(gòu)和新的圖像架構(gòu)贝咙。

這款名為Foveros的3D封裝技術(shù)累積英特爾二十年來的研究，以結(jié)合邏輯與內(nèi)存的3D異構(gòu)結(jié)構(gòu)打造出堆棧芯片拂募。相較于目前可用的被動內(nèi)插器和堆棧內(nèi)存技術(shù)庭猩，F(xiàn)overos將3D封裝的概念進(jìn)一步擴(kuò)展到包括高性能邏輯，如CPU陈症、圖像和人工智能(AI)處理器蔼水。

英特爾首席架構(gòu)師兼Core和視覺運(yùn)算部門資深副總裁Raja Koduri說：“我們正加倍努力提升在現(xiàn)有工藝與先進(jìn)封裝的領(lǐng)導(dǎo)地位。

行業(yè)動態(tài)

1. ★★投資130億元录肯，國產(chǎn)公司發(fā)力PCM相變存儲趴腋，2021推3DXPoint芯片(20181205)

作為當(dāng)前最尖端的高科技之一，半導(dǎo)體芯片這幾年在國內(nèi)很熱門论咏，不僅在媒體報道上刷屏优炬，而且國內(nèi)最近幾年上馬了不少半導(dǎo)體項(xiàng)目，幾乎涉及到從設(shè)計到制造再到封裝在內(nèi)的各個領(lǐng)域厅贪。在眾多半導(dǎo)體項(xiàng)目中，存儲芯片是國內(nèi)優(yōu)先發(fā)展的葵硕，畢竟國內(nèi)的NAND閃存及DRAM內(nèi)存兩大類存儲芯片幾乎是100%進(jìn)口的单寂。國內(nèi)比較重要的存儲芯片項(xiàng)目有長江存儲、合肥長鑫及福建晉華吐辙，但在NAND/DRAM內(nèi)存之外宣决，還有一個項(xiàng)目值得注意尊沸，那就是江蘇時代芯存公司的PCM相變存儲芯片項(xiàng)目，總投資高達(dá)130億元贤惯，一期投資43億元洼专，在江蘇淮安建設(shè)的晶圓廠明年Q1季度就要量產(chǎn)了，號稱年產(chǎn)10萬片12英寸PCM晶圓屁商，銷售額高達(dá)20億美元颈墅。

江蘇時代芯存半導(dǎo)體有限公司正式成立于2016年10月雾袱，公司股東有江蘇時代全芯存儲科技有限公司和淮安園興投資有限公司芹橡。公司致力于開發(fā)及生產(chǎn)搭載最新PCM技術(shù)的存儲產(chǎn)品。江蘇淮安PCM生產(chǎn)項(xiàng)目總投資130億元林说，一期投資43億元屯伞，淮安園興投資有限公司出資16億元人民幣占股44%愕掏。江蘇時代全芯存儲科技有限公司以自有的知識產(chǎn)權(quán)和現(xiàn)金出資，占股56%剑梳，其中知識產(chǎn)權(quán)主要包括公司的專有技術(shù)及專利滑潘。

2. 首階段投資約100億 新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目落戶長沙望城(20181207)

近日，新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目整體布局中的核心“科創(chuàng)中心”簽約落戶長沙市望城區(qū)追逮，省會推進(jìn)新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)工作又邁進(jìn)一大步粹舵。

2017年，山東天岳晶體材料有限公司會同新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)聯(lián)企業(yè)聯(lián)合落地長沙巴席，啟動新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目诅需。其中堰塌，材料中心已落戶瀏陽經(jīng)開區(qū)，應(yīng)用及智造中心已落戶望城經(jīng)開區(qū)般此。

3. 免征/減半企業(yè)所得稅，安徽又一批集成電路企業(yè)受益(20181207)

近日屎勘，國家稅務(wù)總局安徽省稅務(wù)局發(fā)布關(guān)于印發(fā)全省稅務(wù)系統(tǒng)深化改革支持民營經(jīng)濟(jì)發(fā)展70條稅費(fèi)政策措施和深化改革優(yōu)化民營經(jīng)濟(jì)發(fā)展稅收環(huán)境20條服務(wù)措施的通知居扒。

《通知》從減輕民營企業(yè)稅費(fèi)負(fù)擔(dān)喜喂、緩解民營企業(yè)融資難、支持民營企業(yè)創(chuàng)新照弥、鼓勵民營企業(yè)投資进副、促進(jìn)民營企業(yè)創(chuàng)業(yè)就業(yè)、和引導(dǎo)民營企業(yè)做大做強(qiáng)6個方面提出了具體的政策措施给赞。

其中矫户，在集成電路產(chǎn)業(yè)方面皆辽，作出了如下規(guī)定：

2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于130納米，且經(jīng)營期在10年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目耻台，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅空另，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅，并享受至期滿為止征字。

2018年1月1日后投資新設(shè)的集成電路線寬小于65納米或投資額超過150億元娇豫，且經(jīng)營期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目冯痢，第一年至第五年免征企業(yè)所得稅，第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅袖肥，并享受至期滿為止振劳。

集成電路生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)設(shè)備，其折舊年限可以適當(dāng)縮短寸癌，最短可為3年（含）弱贼。

4. ★★★ASML供應(yīng)商發(fā)生火災(zāi)吮旅，2019年光刻機(jī)出貨將延遲(20181217)

光刻機(jī)廠商ASML日前宣布，由于該公司的電子零部件供應(yīng)商Prodrive發(fā)生火災(zāi)檬嘀，將導(dǎo)致ASML明年年初的部分產(chǎn)品供貨日期被推遲匪凉。

ASML是目前全球最先進(jìn)極紫外光刻機(jī)（EUV）的唯一供應(yīng)商再层。有分析人士認(rèn)為，若這條生產(chǎn)供應(yīng)鏈?zhǔn)艿接绊戄锴兀磥韺⒔o臺積電蛋济、三星等企業(yè)之間的“7納米大戰(zhàn)”，帶來不穩(wěn)定因素渡处。

據(jù)ASML官網(wǎng)12月3日發(fā)布的通告消息祟辟，火災(zāi)摧毀元件供應(yīng)商Prodrive工廠的部分庫存旧困、生產(chǎn)線稼锅。為此僚纷，ASML已在第一時間尋找其他供應(yīng)商提供替代原件和物資怖竭，并表示將花上幾周時間來，來對這場火災(zāi)造成的影響進(jìn)行全面評估赞弥。

5. 中芯國際/武漢新芯供應(yīng)商 盛品電子封測生產(chǎn)線年底投產(chǎn)(20181210)

近日趣兄，山東濟(jì)南市推進(jìn)新舊動能轉(zhuǎn)換項(xiàng)目建設(shè)觀摩評議在濟(jì)南高新區(qū)實(shí)地考察了盛品電子集成電路封裝測試艇潭，該生產(chǎn)線將在年底投產(chǎn)。據(jù)悉鲁纠，山東盛品技術(shù)有限公司集成電路先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)線項(xiàng)目鳍寂，將成為濟(jì)南集成電路領(lǐng)域最大的封裝測試工廠迄汛。

資料顯示，山東盛品電子技術(shù)有限公司由“泰山產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才”鹃觉、中科院博士劉昭麟發(fā)起成立睹逃，核心業(yè)務(wù)包括集成電路芯片封裝先進(jìn)工藝研發(fā)沉填、MEMS傳感器先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和封裝測試量產(chǎn)服務(wù)，擁有自主核心專利20多項(xiàng)斑鼻，封裝形式為業(yè)界主流的高端BGA封裝和SiP系統(tǒng)級封裝橄碾。該公司已成為中芯國際、武漢新芯史汗、華為停撞、海爾悼瓮、格力等客戶的合格供應(yīng)商。

6. ★★三星將通過晶圓代工彌補(bǔ)內(nèi)存降價的損失：2020推3nm工藝（20181211）

持續(xù)兩年多的DRMA內(nèi)存芯片漲價今年10月份就結(jié)束了埋市，遭受漲價之苦的下游廠商及消費(fèi)者總算可以舒口氣了命贴，花旗集團(tuán)日前給出的預(yù)測是明年DRAM內(nèi)存至少會降價30%胸蛛。對于DRAM廠商來說，內(nèi)存降價是他們極不愿意看到的泞当，特別是第一大內(nèi)存供應(yīng)商三星襟士，DRAM芯片占了三星公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收的85%嚷量。為了彌補(bǔ)DRAM內(nèi)存降價導(dǎo)致的損失，三星明年將加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)章喉，雖然在7nm節(jié)點(diǎn)上落后了臺積電秸脱，但三星表態(tài)他們的3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗(yàn)證部蛇，將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)涯鲁。

7. 南京矽邦或?qū)⒃谧筒┩顿Y3.34億元封測項(xiàng)目（20181211）

12月11日有序，淄博高新區(qū)管委會旭寿、南京夕邦半導(dǎo)體有限公司崇败、淄博安盛佳和股份投資基金管理有限公司達(dá)成合作協(xié)議，全面啟動淄博高新區(qū)集成電路封裝測試項(xiàng)目缩膝，全力打造淄博集成電路產(chǎn)業(yè)鏈疾层，形成以集成電路產(chǎn)業(yè)為核心的新舊動能轉(zhuǎn)換示范區(qū)贡避。

據(jù)了解，南京矽邦半導(dǎo)體有限公司將在淄博高新區(qū)投資3.34億元建設(shè)集成電路封裝測試項(xiàng)目舅逸，預(yù)計建成后封裝芯片年產(chǎn)能8-10億顆琉历，力爭三年內(nèi)實(shí)現(xiàn)銷售額4億元水醋，稅收5517萬元拄踪，技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)一流。同時撮弧，淄博安盛佳和股權(quán)投資基金管理有限公司將設(shè)立首期5億元姚糊，總額度達(dá)25億元的集成電路產(chǎn)業(yè)基金救恨，支持集成電路產(chǎn)業(yè)在淄博高新區(qū)發(fā)展，進(jìn)而帶動上下游產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展擎淤。

8. ★★紫光宣布刁石京出任展銳CEO，同時展銳獲30億元增資（181211）

紫光集團(tuán)宣布由紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京任紫光展銳副董事長及CEO桩盲，與聯(lián)席CEO楚慶一起開啟紫光展銳“騰躍”戰(zhàn)略的新篇章。紫光集團(tuán)同時還宣布了調(diào)整后擁有“豪華”陣容的董事會抢腐，以及30億增資展銳等重大舉措襟交。此次宣布標(biāo)志著紫光展銳在完成展訊和銳迪科整合后捣域，厚積薄發(fā)，全面邁入進(jìn)軍5G迹鹅、物聯(lián)網(wǎng)及移動通訊芯片中高端的歷史征程贞言。

9. 投資10億元 合肥再添一座集成電路封裝廠（20181212）

12月12日该窗，深圳市富滿電子集團(tuán)股份有限公司（以下簡稱“富滿電子”）發(fā)布關(guān)于對外投資封裝工廠的進(jìn)展公告。

公告顯示义钉，公司董事會于11月9日審議通過了《關(guān)于成立全資子公司的議案》捶闸，同意公司在合肥高新區(qū)成立全資子公司拖刃，作為公司對外投資封裝工廠的運(yùn)營主體序调。

目前，富滿電子已經(jīng)完成了合肥子公司合肥市富滿電子有限公司的注冊硬耍，并且取得了合肥市工商行政管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》，注冊資本為2億元狸窘，經(jīng)營范圍包括集成電路翻擒、三極管的設(shè)計牛哺、研發(fā)引润、生產(chǎn)、批發(fā)等议慰。

10. ★★★英特爾發(fā)布全新10納米CPU架構(gòu)（20181213）

在12月12日的英特爾“架構(gòu)日”活動中别凹，英特爾高管洽糟、架構(gòu)師和院士們展示了下一代技術(shù)脊框，并介紹了英特爾在驅(qū)動不斷擴(kuò)展的數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載方面的戰(zhàn)略進(jìn)展，從而為PC和其他智能消費(fèi)設(shè)備沉御、高速網(wǎng)絡(luò)昭灵、無處不在的人工智能（AI）烂完、云數(shù)據(jù)中心和自動駕駛汽車提供支持抠蚣。

同時，英特爾展示了一系列處于研發(fā)中的基于10納米的系統(tǒng)怀跛，將用于PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備忠蝗；并預(yù)覽了其他針對更廣泛工作負(fù)載的技術(shù)阁最。

英特爾還分享了聚焦于六個工程領(lǐng)域的技術(shù)戰(zhàn)略骇两，對這些領(lǐng)域的重大投資和技術(shù)創(chuàng)新脯颜，將推動技術(shù)和用戶體驗(yàn)的飛躍贩据。這六大工程領(lǐng)域包括：先進(jìn)的制造工藝和封裝饱亮；可加速人工智能和圖形等專門任務(wù)的新架構(gòu)；超高速內(nèi)存剔宪；超微互連葱绒；嵌入式安全功能斗锭；以及為開發(fā)者統(tǒng)一和簡化基于英特爾計算路線圖進(jìn)行編程的通用軟件岖是。

這些技術(shù)共同為更加多元化的計算時代奠定了基石豺撑，到2022年，潛在市場規(guī)模將超過3000億美元爷肝。

11. 富滿電子擬在合肥投10億元建集成電路封裝項(xiàng)目（20181213）

12月13日阶剑，深圳市富滿電子集團(tuán)股份有限公司（以下簡稱“富滿電子”）發(fā)布關(guān)于對外投資封裝工廠的進(jìn)展公告。

公告顯示素邪，公司董事會于11月9日審議通過了《關(guān)于成立全資子公司的議案》兔朦，同意公司在合肥高新區(qū)成立全資子公司磨确，作為公司對外投資封裝工廠的運(yùn)營主體乏奥。

目前邓了，富滿電子已經(jīng)完成了合肥子公司合肥市富滿電子有限公司的注冊，并且取得了合肥市工商行政管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》照宝，注冊資本為2億元厕鹃，經(jīng)營范圍包括集成電路乍丈、三極管的設(shè)計轻专、研發(fā)铭若、生產(chǎn)、批發(fā)等瞳腌。

12. 長川科技一箭雙雕：大基金躍升第二大股東嫂侍、拿下長新投資90%股權(quán)（20181213）

繼今年5月以5000萬元增資長新投資后，長川科技將拿下長新投資全部股權(quán)，這意味著長新投資的實(shí)際經(jīng)營主體——新加坡測試設(shè)備廠商STI將整體注入長川科技懒鉴。

12月13日，長川科技發(fā)布公告稱奴璃，擬通過發(fā)行股份的方式購買國家產(chǎn)業(yè)基金苟穆、天堂硅谷以及上海裝備合計持有長新投資90%的股份抄课。交易完成后，長新投資成為長川科技的全資子公司雳旅，國家產(chǎn)業(yè)基金成為其第二大股東跟磨。

13. 擴(kuò)展業(yè)務(wù)規(guī)模 南大光電擬5億元投建集成電路材料生產(chǎn)基地（20181214）

近日，江蘇南大光電材料股份有限公司（以下簡稱“南大光電”）發(fā)布公告稱岭辣，為擴(kuò)展業(yè)務(wù)規(guī)模吱晒，公司于12月13日與安徽省全椒縣人民政府簽訂了投資協(xié)議甸饱，擬在安徽省滁州市全椒縣十譚電子新材料產(chǎn)業(yè)園建設(shè)江蘇南大光電集成電路材料生產(chǎn)基地沦童，包括年產(chǎn)170噸MO源和高K三甲基鋁生產(chǎn)項(xiàng)目叹话，計劃投資約5億元偷遗。

14. ★阿里“平頭哥”半導(dǎo)體落戶張江（20181217）

近日，張江地區(qū)消息顯示驼壶，阿里“平頭哥”半導(dǎo)體將會正式落戶張江氏豌。全球半導(dǎo)體觀察在查詢國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)，一家名為“平頭哥（上海）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司的企業(yè)在11月7日已完成注冊热凹。注冊資本1000萬泵喘，注冊地為張江。從股東信息上看般妙，資料顯示其股東發(fā)起人正是阿里巴巴達(dá)摩院（杭州）科技有限公司纪铺，且持股比例100%。

值得一提的是碟渺，平頭哥半導(dǎo)體公司此次選擇的是與中天微同一個注冊地鲜锚，“平頭哥”的落戶，將會給張江半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)第二次騰飛的機(jī)遇。

回顧平頭哥半導(dǎo)體公司的成立歷程芜繁，今年9月份在2018杭州云棲大會上旺隙，阿里巴巴CTO、達(dá)摩院院長張建鋒宣布骏令，阿里把此前收購的芯片公司中天微與達(dá)摩院的自研芯片業(yè)務(wù)整合到一起蔬捷，成立一家獨(dú)立的芯片公司，名為“平頭哥半導(dǎo)體有限公司”榔袋，并透露正在研制的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片將于明年4月流片抠刺，以及完成自主研發(fā)的CK902系列芯片。

據(jù)了解摘昌，阿里表示速妖，在公司成立初期會給予一定的技術(shù)和資金支持，但是未來平頭哥半導(dǎo)體公司將會獨(dú)立運(yùn)行聪黎。眾所周知罕容，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直以來都是美國、日本等國家地區(qū)領(lǐng)先稿饰，但由于半導(dǎo)體是制作芯片等核心技術(shù)的關(guān)鍵锦秒，阿里在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的布局有利于其擴(kuò)大自身的生態(tài)體系。