近日首尼，網(wǎng)上爆出國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)刷新了讀寫(xiě)速度的新界讓不少?lài)?guó)人為之驕傲攘已！
這則消息源于中芯國(guó)際與Crossbar合作研發(fā)的ReRAM(非易失性阻變式 存儲(chǔ)器)浦辨，然而對(duì)于Crossbar公司滔悉，則成立于2010年便拿到了包括中國(guó)北極光創(chuàng)投在內(nèi)提供的8000萬(wàn)美元風(fēng)投虐拓，直到2016年3月宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作心俗，發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)，中芯國(guó)際采用了自家的40nm?CMOS工藝試產(chǎn)了ReRAM芯片。
對(duì)于城榛，這款芯片ReRAM代表電阻式RAM揪利，且將DRAM的讀寫(xiě)速度和NAND的非易失性集于一身的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，而且關(guān)閉電源后仍能保存數(shù)據(jù)狠持。如果ReRAM有足夠大的空間疟位，一臺(tái)配備ReRAM的計(jì)算機(jī)將幾乎不再需要載入時(shí)間。
ReRAM的名字中雖然帶有RAM喘垂，但機(jī)制和用途其實(shí)更像NAND閃存甜刻，主要用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
ReRAM的性能十分彪悍正勒，號(hào)稱(chēng)存儲(chǔ)密度比DRAM內(nèi)存高40倍得院，讀取速度快100倍，寫(xiě)入速度快1000倍章贞，耐久度高1000倍祥绞，200平方毫米左右的單芯片即可實(shí)現(xiàn)TB級(jí)存儲(chǔ)，還具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單鸭限、易于制造等優(yōu)點(diǎn)蜕径。
與傳統(tǒng)的NAND閃存相比，ReRAM速度快的多败京，位元可修改丧荐，并且所需電壓更低，這都使得它可以被應(yīng)用于嵌入式和SSD設(shè)備之中喧枷。而且不同于NAND閃存對(duì)于更新工藝的不適應(yīng)虹统，ReRAM的擴(kuò)展性更好，遠(yuǎn)景可以做到5nm隧甚。
據(jù)悉车荔，更先進(jìn)的28nm?ReRAM芯片也將在2017年上半年問(wèn)世。關(guān)于科技方面的知識(shí)和見(jiàn)解戚扳，敬請(qǐng)關(guān)注我的微信公眾號(hào)“柯基君2016”忧便。如果您覺(jué)得還不錯(cuò)，記得分享到朋友圈帽借，你的分享是對(duì)我最大的支持珠增！
