姓名：莫益彰
學(xué)號(hào)：16030140019
【嵌牛導(dǎo)讀】大約是從去年年中開始呜舒，以固態(tài)硬盤為代表的反璃，包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條秃臣、優(yōu)盤甚至閃存卡在內(nèi)的幾乎全部閃存產(chǎn)品涧衙，開始緩慢漲價(jià)。一開始的漲價(jià)幅度并不是特別大奥此，許多人并沒有在意弧哎，也沒有太多人去解讀。
【嵌牛提問】關(guān)于內(nèi)存條瘋漲你有什么看法稚虎？你預(yù)計(jì)下一個(gè)瘋漲的器件是什么撤嫩？
【嵌牛正文】隨著時(shí)間的推移，到了2016年第三第四季度蠢终，漲價(jià)的幅度逐漸增大序攘，大幅超過許多人的心理預(yù)期價(jià)位時(shí)，有人開始質(zhì)疑了：閃存產(chǎn)品為什么漲價(jià)如此厲害寻拂？然而两踏，存儲(chǔ)產(chǎn)品的漲價(jià)風(fēng)波并沒有就此停下腳步，進(jìn)入2017年兜喻。無論是閃存大戶固態(tài)硬盤，還是內(nèi)存條閃存卡等產(chǎn)品線赡麦，依舊在漲價(jià)的路上越走越遠(yuǎn)朴皆。
那么，此輪存儲(chǔ)產(chǎn)品線的漲價(jià)風(fēng)波到底緣何而起泛粹？此輪漲價(jià)風(fēng)波到底何時(shí)方能風(fēng)平浪靜遂铡？
漲價(jià)風(fēng)波緣起之一：技術(shù)冒進(jìn)，量產(chǎn)不足
近年來晶姊，隨著固態(tài)硬盤的普及扒接，主流的存儲(chǔ)產(chǎn)品，幾乎都開始以閃存作為主要的存儲(chǔ)介質(zhì)，可能唯一的區(qū)別在于是易失性還是非易失性钾怔。
在過去的一年碱呼，隨著固態(tài)硬盤加入主流存儲(chǔ)產(chǎn)品序列，各大閃存原廠開始擴(kuò)大園區(qū)宗侦，加速產(chǎn)能愚臀，以期推出更多的原廠閃存以供給下游新生的固態(tài)硬盤存儲(chǔ)廠商對(duì)于閃存原料的需求。然而矾利，無論是擴(kuò)大園區(qū)還是加速產(chǎn)能姑裂，幾乎都無法滿足，在去年開始爆發(fā)性增長(zhǎng)的對(duì)于閃存原料的需求男旗，以及隨著固態(tài)硬盤走向平民化帶來的利潤率下降問題舶斧。
各大閃存原廠開始從閃存技術(shù)方面進(jìn)行革新，先是大量采用TLC替代MLC閃存顆粒察皇，提高量產(chǎn)的同時(shí)還能提高利潤率茴厉，然而這一招并不能從根基上解決產(chǎn)能不足問題。于是让网，全行業(yè)開始從2D NAND制程轉(zhuǎn)向3D NAND制程呀忧，力圖從提高單位閃存顆粒的最高容量上著手，間接提高整體閃存的出貨量溃睹，以滿足整個(gè)市場(chǎng)對(duì)于閃存原料的需求而账。
在這里簡(jiǎn)單介紹2D NAND和3D NAND之間的區(qū)別和聯(lián)系。2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數(shù)間平房因篇，這些平房整齊排列泞辐。但是隨著需求量的不斷增加，平房的數(shù)量不斷井噴竞滓，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數(shù)量的平房而無法繼續(xù)增加
3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房咐吼，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于平房商佑。因而它能提供更多的空間锯茄，也就是提供了更大的存儲(chǔ)空間，而32層茶没、48層以及64層肌幽，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層抓半。
從結(jié)果而言喂急，采用這一技術(shù)的確是能夠快速有效的解決閃存量產(chǎn)不足的問題。然而笛求，眾多原廠卻忽視了技術(shù)瓶頸廊移，對(duì)于3D NAND技術(shù)下閃存切割的良品率過于樂觀糕簿，致使在2D NAND轉(zhuǎn)至3D NAND的過程中，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到預(yù)期產(chǎn)量狡孔，進(jìn)一步加劇了閃存供應(yīng)不足的現(xiàn)實(shí)局面懂诗，更何況在2D轉(zhuǎn)3D技術(shù)的過程中，所有的機(jī)械步氏、人工响禽、廠房的投入，不可能因?yàn)榧夹g(shù)瓶頸而放棄研發(fā)荚醒，重新轉(zhuǎn)回2D,更加劇了2D NAND的減產(chǎn)芋类，引發(fā)全行業(yè)的閃存缺貨。
供不應(yīng)求界阁，則必然導(dǎo)致的結(jié)果是存儲(chǔ)廠商采購成本的提高侯繁，從而引發(fā)終端產(chǎn)品的價(jià)格一路飛漲。
漲價(jià)緣起之二：大容量存儲(chǔ)成為數(shù)碼標(biāo)配
如果說泡躯，技術(shù)冒進(jìn)引發(fā)量產(chǎn)不足是以固態(tài)硬盤為代表的存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)的內(nèi)因的話贮竟，那么在2016年開始流行的數(shù)碼產(chǎn)品配備大容量存儲(chǔ)器則可以說是，引發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)的最大外因了较剃。
眾所周知咕别，在全世界范圍內(nèi)，能夠獨(dú)立生產(chǎn)和封裝閃存原料的所謂原廠僅有屈指可數(shù)的幾家写穴，然而這幾家的閃存原料惰拱，卻要供應(yīng)包括傳統(tǒng)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，例如固態(tài)硬盤啊送、閃存卡偿短、優(yōu)盤甚至部分內(nèi)存，還要供應(yīng)給量級(jí)不斷攀升的手機(jī)馋没、平板電腦昔逗、超極本以及一體機(jī)等新興數(shù)碼產(chǎn)品。
鑒于此類新興數(shù)碼產(chǎn)品篷朵，大都是一體化設(shè)計(jì)無法實(shí)現(xiàn)外置存儲(chǔ)功能勾怒，大約從去年開始，對(duì)于大容量的內(nèi)部存儲(chǔ)器的需求声旺，不斷加碼控硼。高達(dá)128GB甚至256GB內(nèi)置存儲(chǔ)容量，成為了這些新興數(shù)碼產(chǎn)品的標(biāo)配艾少，更成為了某些科技公司利潤率的重大保障。
同時(shí)翼悴，此類新興數(shù)碼產(chǎn)品的銷量和熱度的攀升缚够，利潤率的上升幔妨，給予原廠更多的價(jià)格回饋，因而更多的原廠愿意將閃存原料優(yōu)先供給給手機(jī)平板以及超極本等客戶谍椅，這就進(jìn)一步加劇了固態(tài)硬盤等傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品閃存原料的缺失误堡。
閃存原料的傾斜，引發(fā)的連鎖效應(yīng)雏吭，倒逼存儲(chǔ)廠商不得不上調(diào)價(jià)格維系利潤锁施。
漲價(jià)緣起之三：閃存技術(shù)引發(fā)服務(wù)器市場(chǎng)的青睞
在傳統(tǒng)的存儲(chǔ)行業(yè)，一直存在著消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)和服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)杖们。一般來說悉抵，新興的存儲(chǔ)技術(shù)在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)得到了充分驗(yàn)證，保證技術(shù)上的穩(wěn)定后摘完，服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)便會(huì)開始大規(guī)模應(yīng)用姥饰。
在固態(tài)硬盤技術(shù)處于2D NAND時(shí)代，服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)幾乎很少使用固態(tài)硬盤作為存儲(chǔ)介質(zhì)孝治，畢竟服務(wù)器市場(chǎng)的負(fù)載壓力和容量要求列粪，非一般的固態(tài)硬盤能夠滿足。
但是谈飒，隨著近年來岂座，Intel的3D X-POINT的正式問世，也就是Optane敖騰等服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)存儲(chǔ)產(chǎn)品的登場(chǎng)，越來越多的尚未應(yīng)用以閃存為存儲(chǔ)介質(zhì)的服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)径密，開始從去年開始慢慢進(jìn)行產(chǎn)品的更新?lián)Q代奄妨，將老舊的服務(wù)器級(jí)機(jī)械硬盤替下，換上技術(shù)更為先進(jìn)吕喘，速度更快，性能更穩(wěn)定的固態(tài)硬盤刑桑。
就在不久前氯质，Intel官方還在公開場(chǎng)合宣布，隨著3D Xpoint的成熟祠斧，Intel將在2017年優(yōu)先生產(chǎn)高速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用（也就是服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)）的固態(tài)硬盤闻察，而不是低成本的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤。
服務(wù)器級(jí)市場(chǎng)的對(duì)于閃存顆粒需求的釋放琢锋，無疑給身處缺貨困惱的消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重?fù)粼１娝苤?wù)器級(jí)市場(chǎng)鑒于其服務(wù)定位及產(chǎn)品功能吴超，在采購方面的議價(jià)能力遠(yuǎn)高于消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)钉嘹，對(duì)于閃存原料的控制力，更是一眾消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)廠商不可同日而語的鲸阻。在高價(jià)采購閃存原料的情況下跋涣，固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)產(chǎn)品漲價(jià)也就不難理解了缨睡。
