1、存儲歷史：
1984年畏妖，東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。特點是非易失性疼阔，其記錄速度也非辰浣伲快，同時體積小竿开，因此后來被廣泛運用于數(shù)碼相機谱仪，掌上電腦玻熙，MP3否彩、手機等小型數(shù)碼產(chǎn)品中。
Intel是世界上第一個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司嗦随，當(dāng)時為NOR閃存列荔。
1989年日立公司于研制了NAND閃存，逐漸替代了NOR閃存枚尼。
PC上的SSD和手機的ROM贴浙，本質(zhì)上是一家人，都是NAND閃存署恍。
存儲設(shè)備主要區(qū)分
- 存儲性質(zhì)不同
- 存儲容量不同
- 運行速度不同
- 用途不同
手機內(nèi)存（RAM崎溃，隨機存取存儲器）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器盯质，也叫主存(內(nèi)存)袁串。它可以隨時讀寫，而且速度很快呼巷，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介囱修。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序王悍。說人話破镰，就是我們常說的手機運行內(nèi)存。
在PC平臺压储，內(nèi)存經(jīng)歷了SIMM內(nèi)存鲜漩、EDO DRAM內(nèi)存、SDRAM內(nèi)存集惋、Rambus DRAM內(nèi)存宇整、DDR內(nèi)存的發(fā)展，到如今普及到DDR4內(nèi)存芋膘，而手機上采用的LPDDR RAM是“低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存”的縮寫鳞青，與桌面平臺的DDR4內(nèi)存相比霸饲，面向移動平臺的LPDDR4，其能夠在帶來等效的性能(速度)的同時臂拓，兼顧更少的能源消耗厚脉。
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，即使斷電也不會丟失數(shù)據(jù)胶惰，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（NOR Flash為字節(jié)存儲傻工。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB孵滞。通俗地說中捆，它就相當(dāng)于電腦中的硬盤，運行內(nèi)存在斷電后不會保留存儲的數(shù)據(jù)坊饶，而要長期保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失還是需要將數(shù)據(jù)從內(nèi)存寫入到硬盤當(dāng)中泄伪。對于電腦這樣的桌面設(shè)備，我們可以塞進(jìn)去一塊硬盤匿级，而對于手機這樣的移動設(shè)備蟋滴，顯然就不現(xiàn)實了。
EMMC
eMMC是非易失性存儲器痘绎，不論在通電或斷電狀態(tài)下津函，數(shù)據(jù)都是可以存儲的，而DDR3內(nèi)存是易失性存儲器孤页，斷電同時尔苦，數(shù)據(jù)即丟失
eMMC的全稱為“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒體存儲卡行施。是由MMC協(xié)會所訂立的允坚、主要是針對手機或平板電腦等產(chǎn)品的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
eMMC的存儲容量要比DDR3內(nèi)存大3-4倍悲龟，常見有32G屋讶，而DDR3內(nèi)存容量相對較小，常見有2-16G
2015年前所有主流的智能手機和平板電腦都采用這種存儲介質(zhì)须教。
emmc 協(xié)議
UFS
2011年電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會（Joint Electron Device En gineering Council皿渗，簡稱JEDEC）發(fā)布了第一代通用閃存存儲（Universal Flash Storage，簡稱UFS）標(biāo)準(zhǔn)轻腺，即UFS 2.0的前身乐疆。
2013年，JEDEC在當(dāng)年9月發(fā)布了UFS 2.0的新一代閃存存儲標(biāo)準(zhǔn)贬养，UFS 2.0閃存讀寫速度理論上可以達(dá)到1400MB/s挤土，不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢，而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見絀误算。
UFS 2.0共有兩個版本：
1仰美、HS-G2迷殿，也就是目前的UFS 2.0
2、HS-G3咖杂，可以稱為UFS 2.1庆寺，其數(shù)據(jù)讀取速度將飆至1.5G/s
UFS與eMMC區(qū)別
UFS 2.0的閃存規(guī)格則采用了新的標(biāo)準(zhǔn)，它使用的是串行接口诉字，很像PATA懦尝、SATA的轉(zhuǎn)換。并且它支持全雙工運行壤圃，可同時讀寫操作陵霉，還支持指令隊列
eMMC是半雙工，讀寫必須分開執(zhí)行伍绳，指令也是打包的踊挠，在速度上就慢。
DDR與LPDDR
DDR墨叛、DDR2發(fā)展到DDR3止毕，頻率更高模蜡、電壓更低的同時延遲也在不斷變大漠趁，慢慢改變著內(nèi)存子系統(tǒng)，而DDR4最重要的使命是提高頻率和帶寬忍疾，每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬闯传，擁有高達(dá)4266MHz的頻率，內(nèi)存容量最大可達(dá)到128GB卤妒，運行電壓正成蹋可降低到1.2V、1.1V
LPDDR是什么呢则披？它的全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM共缕，是DDR的一種，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRAM）,是美國JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn)士复，以低功耗和小體積著稱图谷，專門用于移動式電子產(chǎn)品。
LPDDR的運行電壓（工作電壓）相比DDR的標(biāo)準(zhǔn)電壓要低阱洪，從第一代LPDDR到如今的LPDDR4便贵，每一代LPDDR都使內(nèi)部讀取大小和外部傳輸速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的帶寬冗荸，輸入/輸出接口數(shù)據(jù)傳輸速度最高可達(dá)3200Mbps承璃，電壓降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X蚌本，與LPDDR4相同盔粹，只是通過將I / O電壓降低到0.6 V而不是1.1 V來節(jié)省額外的功耗隘梨，也就是更省電
