濕法腐蝕的優(yōu)點在于可以控制腐蝕液的化學(xué)成分圈驼，使得腐蝕液對特定薄膜材料的腐蝕速率遠遠大于其他材料的腐蝕速率娶桦，從而提高腐蝕的選擇性虎谢。但是卜朗，由于濕法腐...

在濕法腐蝕的過程中席覆，通過使用特定的熔液與需要腐蝕的薄膜材料進行化學(xué)反應(yīng)浙炼，進而除去沒有被光刻膠覆蓋區(qū)域的薄膜粒梦。 濕法腐蝕的優(yōu)點是工藝簡單晦嵌，但是在濕...

經(jīng)過刻蝕或者離子注入之后同辣，已經(jīng)不再需要光刻膠作為保護層，因此可以將光刻膠從硅片的表面除去耍铜，這一步驟簡稱為去膠邑闺。在集成電路工藝中，去膠的方法包括濕...