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一团赏、MOS管的跨導(dǎo)gm: 其定義為,單位柵壓變化下漏極電流的變化浸赫。即眯牧,Vgs對(duì)Id的控制能力,或衡量MOS管放大能力的最重要的物理量。 其公式為...
襯底電位:襯底電壓要保證源漏PN結(jié)反偏牵署。 閾值電壓Vth:表面電子濃度等于襯底多子濃度時(shí)的VG。 MOS的工作區(qū): 1.截止區(qū):0<Vgs<Vt...
異或指令: 此指令兩個(gè)寄存器中的值按位執(zhí)行“異或”操作喧半,并根據(jù)指令的執(zhí)行結(jié)果更新程序狀態(tài)寄存器的標(biāo)志位奴迅。 EOR <Rn>, <Rm> R...
改變處理器狀態(tài): CPS<effect> <effect> = IE : interrupt enable, PRIMASK = 0; = ...
比較指令: (1)此指令將一個(gè)寄存器的值和8位立即數(shù)做比較,并根據(jù)結(jié)果更新程序狀態(tài)字的標(biāo)志位。 CMPS <Rn>, # 操作為:Rn-i...
比較指令: 此指令將一個(gè)寄存器的值和另一個(gè)寄存器的值的反值相減取具。它根據(jù)結(jié)果更新條件標(biāo)志脖隶,并丟棄結(jié)果。 CMN <Rn>, <Rm> Rn存放...
跳轉(zhuǎn)指令: 跳轉(zhuǎn)到寄存器指定的地址和指令暇检。ARMv6-M只支持Thumb狀態(tài)产阱。試圖改變指令執(zhí)行狀態(tài)會(huì)導(dǎo)致異常。 BX <Rm> Rm包含跳轉(zhuǎn)目...
帶返回鏈接的無(wú)條件跳轉(zhuǎn)指令: 在指定的地址和指令上調(diào)用子程序块仆,ARMv6-M只支持Thumb狀態(tài)构蹬。試圖更改指令執(zhí)行狀態(tài)會(huì)導(dǎo)致異常。 BLX <...
斷點(diǎn)中斷指令: 此指令可使處理器產(chǎn)生異常悔据。 BKPT imm8指定存儲(chǔ)在指令中的8位值庄敛。這個(gè)值會(huì)被處理器忽略,但是調(diào)試器可以使用它來(lái)存儲(chǔ)關(guān)于...