濕法腐蝕的優(yōu)點(diǎn)在于可以控制腐蝕液的化學(xué)成分团秽，使得腐蝕液對(duì)特定薄膜材料的腐蝕速率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他材料的腐蝕速率劝评，從而提高腐蝕的選擇性晨川。但是珠月，由于濕法腐...

在濕法腐蝕的過(guò)程中徐块，通過(guò)使用特定的熔液與需要腐蝕的薄膜材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)此洲，進(jìn)而除去沒(méi)有被光刻膠覆蓋區(qū)域的薄膜畅厢。 濕法腐蝕的優(yōu)點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，但是在濕...

經(jīng)過(guò)刻蝕或者離子注入之后蹲堂，已經(jīng)不再需要光刻膠作為保護(hù)層狼讨，因此可以將光刻膠從硅片的表面除去，這一步驟簡(jiǎn)稱(chēng)為去膠柒竞。在集成電路工藝中，去膠的方法包括濕...