GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用冶匹,GaN 在 600V/3KW 以下的應(yīng)用場(chǎng)合更占優(yōu)勢(shì),在微型逆變器咆瘟、伺服器嚼隘、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、UPS等領(lǐng)域...
收錄了3篇文章 · 15人關(guān)注
GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用冶匹,GaN 在 600V/3KW 以下的應(yīng)用場(chǎng)合更占優(yōu)勢(shì),在微型逆變器咆瘟、伺服器嚼隘、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、UPS等領(lǐng)域...
IC封裝的熱特性對(duì)于IC應(yīng)用的性能和可靠性來說是非常關(guān)鍵的嗓蘑。 熱阻须肆,用“theta”或θ表示 匿乃,θja是在自然對(duì)流或強(qiáng)制對(duì)流條件下從芯片接面到大...
1.Wafer design 晶圓設(shè)計(jì)--Wafer Fab晶圓制造--Wafer probe晶圓測(cè)試--Assembly &Test 封裝測(cè)試...