有消息稱鹿寻，中芯國際與Crossbar合作研發(fā)的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)已經在中芯國際正式投入生產炸庞！
Crossbar公司成立于2010年，拿到了包括中國北極光創(chuàng)投在內提供的8000萬美元風投荚斯，2016年3月宣布與中芯國際達成合作埠居，發(fā)力中國市場，中芯國際將采用自家的40nm CMOS工藝試產ReRAM芯片事期。ReRAM代表電阻式RAM滥壕，是將DRAM的讀寫速度與NAND的非易失性集于一身的新一代存儲技術，關閉電源后仍能保存數據兽泣。如果ReRAM有足夠大的空間绎橘，一臺配備ReRAM的計算機將幾乎不再需要載入時間。
ReRAM的名字中雖然帶有RAM唠倦，但機制和用途其實更像NAND閃存称鳞，主要用作數據存儲。
ReRAM的性能十分彪悍牵敷，號稱存儲密度比DRAM內存高40倍胡岔，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍枷餐，耐久度高1000倍靶瘸，200平方毫米左右的單芯片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單毛肋、易于制造等優(yōu)點怨咪。
與傳統(tǒng)的NAND閃存相比，ReRAM速度快的多润匙，位元可修改诗眨，并且所需電壓更低，這都使得它可以被應用于嵌入式和SSD設備之中孕讳。
而且不同于NAND閃存對于更新工藝的不適應匠楚，ReRAM的擴展性更好巍膘，遠景可以做到5nm。
另外芋簿，更先進的28nm ReRAM芯片也將在2017年上半年問世峡懈。
