前言
本筆記將從第二章——場(chǎng)效應(yīng)管與三極管開(kāi)始稳诚，默認(rèn)讀者具有一定PN結(jié)和二極管知識(shí)朦前。
本筆記最大目的是服務(wù)自己裂七，也希望能幫到點(diǎn)進(jìn)來(lái)的唬格、有困惑的你家破。
2022-10-13
2.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
Field Effect Transistor，F(xiàn)ET购岗，包含JEFT（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）/IGFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）
只有一種載流子參與工作汰聋，又稱為單極性晶體管。
2.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
2.2.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
P型半導(dǎo)體的參雜濃度高于N型喊积，形成PN結(jié)烹困。
P型半導(dǎo)體兩端引出到一個(gè)電極，即Gate柵極
中間的溝道乾吻，下面是Source源極髓梅，上面是Drain漏極
（根據(jù)名字可以聯(lián)想到一副畫(huà)面，P型半導(dǎo)體構(gòu)成兩個(gè)柵欄绎签，中間是一條N溝道枯饿，由源級(jí)流向漏極）
2.2.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)
2.2.3 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理
（1）UGS對(duì)溝道的控制作用
a. 當(dāng)VGS=0奢方，導(dǎo)電溝道最寬，iD最大
b. 當(dāng)VGS負(fù)向增大時(shí)爸舒，PN結(jié)反偏蟋字，耗盡層變寬，導(dǎo)電溝道變窄碳抄，溝道電阻增大愉老，iD減小。
c. 當(dāng)VGS負(fù)向增大到一定值時(shí)剖效，溝道會(huì)完全合攏嫉入，iD幾乎為0焰盗。
此時(shí)的VGS成為VGS（off）——夾斷電壓。
（2）UDS對(duì)溝道的控制作用
a. 當(dāng)UDS=0時(shí)咒林，iD=0熬拒。
b. 當(dāng)UDS正向增大，iD增大垫竞。但由于VD增大澎粟，VG、VS不變，靠近漏極的PN結(jié)反偏電壓增大蒋譬，所以靠近漏極處的耗盡層加寬钝荡，溝道變窄，呈楔形分布
c. 當(dāng)UDS繼續(xù)正向增大啸盏，使UGD=UGS-UDS=UGS(off）時(shí)，在靠近漏極處夾斷——預(yù)夾斷骑祟。
此時(shí)iD達(dá)到最大值回懦。
d. 當(dāng)UDS再繼續(xù)正向增大，預(yù)夾斷點(diǎn)下移次企。溝道電阻增大怯晕，增加的壓降幾乎都加到了溝道電阻上，iD幾乎不變缸棵。
2.2.4 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的大信號(hào)分析（特性曲線）
特性曲線，是描述各級(jí)電流與極間電壓關(guān)系的曲線（i-U)蛉谜，通常研究輸出特性曲線（i入-U入）和輸入特性曲線（i出-U出）
在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管中稚晚，由于VGS一般都一直加反向電壓，PN結(jié)反向偏置型诚，從而iG幾乎等于0客燕。
所以選擇研究轉(zhuǎn)移特性曲線（i出-U入）和輸出特性曲線（i出-U出）。
在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管中狰贯，轉(zhuǎn)移特性曲線為
輸出特性曲線為
2.2.4.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線：
分析：a. UGS=0時(shí)也搓，iD最大，取為IDSS涵紊。當(dāng)UGS反向增大傍妒，iD逐漸減小，當(dāng)UGS反向增大至UGS（off）時(shí)摸柄，iD=0颤练。
? ? ? ? ? ?b. 當(dāng)UDS增大時(shí)，iD增大驱负，曲線上移嗦玖。但是UGS（off）不變患雇。（UGS（off）應(yīng)該是二極管的特性值）
2.2.4.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線：
根據(jù)上文的JEFT工作原理分析，可得輸出特性曲線的圖像如上宇挫。
2.2.4.2.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線的區(qū)域分析：
a. 恒流區(qū)：iD幾乎不變苛吱，只受UGS控制（電壓控制的電流源）
? ? ? ? ? ? ? ? 且
? ? ? ? ? ? ? ?另，可以根據(jù)輸出特性曲線畫(huà)出轉(zhuǎn)移特性曲線器瘪，
在恒流區(qū)翠储，取UDS為某一定值，可繪出對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線橡疼。
如果UDS取在了可變電阻區(qū)援所，轉(zhuǎn)移特性曲線會(huì)下移。越靠近原點(diǎn)欣除，曲線越低任斋。
所以只有恒流區(qū)的iD和UGS才滿足上述關(guān)系式。即無(wú)論VDS為何值耻涛，只呈現(xiàn)出唯一轉(zhuǎn)移特性曲線。
b. 可變電阻區(qū)：
直流電阻和交流等效電阻均很小瘟檩，VDS也接近于0抹缕，可將漏源之間看作短路。
c. 截止區(qū)：
UGS<UGSoff墨辛，輸出電流iD幾乎為0卓研，可將漏源之間看作開(kāi)路。
d. 擊穿區(qū)：
VDS過(guò)大了睹簇，一般不用奏赘。
2.3 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
2.3.1?絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGEFT）?
利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行工作，最常用的是金屬氧化物半導(dǎo)體MOSFET（Metal Oxide Semiconductor FET)
優(yōu)點(diǎn)：iG更小了太惠；制造工藝簡(jiǎn)單磨淌；熱穩(wěn)定性好
2.3.2 MOSFET分類
1）N溝道和P溝道
2）增強(qiáng)型和耗盡型
2.3.3 MOSFET 結(jié)構(gòu)圖
N溝道的參雜濃度高梁只。
從N溝道引出源極和漏極（同JEFT）
箭頭代表外P內(nèi)N，所以電流向里流埃脏。
2.3.4 MOSFET工作原理搪锣。
2.3.4.1 UGS對(duì)溝道的控制
（即轉(zhuǎn)移特性曲線）（以N溝道增強(qiáng)型MOSFET為例）
a. 當(dāng)UGS=0時(shí)，漏源之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管彩掐，即使有UDS构舟，也不會(huì)形成電流iD。
b. 當(dāng)UGS>0時(shí)堵幽，gb方向產(chǎn)生一個(gè)縱向電場(chǎng)狗超，將多子空穴向下排斥弹澎、少子電子向上吸引，形成一個(gè)耗盡層抡谐。
c. 當(dāng)UGS繼續(xù)正向增大裁奇，直至≥UGS(th)，形成導(dǎo)電溝道麦撵。此時(shí)若UDS>0刽肠，則可形成電流iD。
從而可以繪制出轉(zhuǎn)移特性曲線（iD-UGS)
2.3.4.2?UDS對(duì)溝道的控制
（即輸出特性曲線）（以N溝道增強(qiáng)型MOSFET為例）
a. 當(dāng)UDS=0免胃，iD=0
b. 當(dāng)UDS正向增大音五，iD增大
c. 當(dāng)UDS增大到UDS=UGS-UGS（th）時(shí)，由于UG羔沙、US不變躺涝，UD增大，所以靠近漏極的溝道會(huì)出現(xiàn)預(yù)夾斷扼雏。
d. 當(dāng)UDS繼續(xù)增大坚嗜，預(yù)夾斷點(diǎn)左移，溝道電阻增大诗充，同JEFT有：增加的壓降幾乎都加到了溝道電阻上苍蔬，所以iD幾乎不變。
e. 當(dāng)增大UGS蝴蜓，溝道寬度增大碟绑，iD增大；當(dāng)減小UGS茎匠，溝道寬度減小格仲，iD減小诵冒；
從而可以繪制出輸出特性曲線
2.3.4.2.1 輸出特性曲線的區(qū)域分析：
a. 恒流區(qū)（UGD<UGSth）：iD幾乎不變凯肋，只受UGS控制（電壓控制的電流源）
且
溝道調(diào)制效應(yīng)
由于漏端夾斷區(qū)寬度增加，造成實(shí)際溝道長(zhǎng)度減衅觥（即溝道電阻減蟹窆），而溝道兩端的電壓不變惭蟋，使得電流增大苗桂。
設(shè)溝道調(diào)制系數(shù)為λ，λ=1/UA告组，UA為厄爾利電壓煤伟。
λ越小，厄爾利電壓越大，曲線越平坦便锨，恒流源特性越明顯围辙。
考慮溝道調(diào)制效應(yīng)后，恒流區(qū)的方程為：
一般UA很大放案，λ很小姚建，所以忽略λ影響后的方程為：（需要掌握）
前面的μ、C為常數(shù)吱殉，W掸冤、L在MOSFET立體圖中有提到，是管子的寬度和兩個(gè)N溝道之間的長(zhǎng)度友雳。
b. 可變電阻區(qū)：
可變電阻區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線會(huì)受到UGS的影響稿湿，呈現(xiàn)出不同曲線（同JEFT）
其方程為：（不需要掌握）
c. 截止區(qū)： UGS<UGS(th)
2.3.4.3 N溝道耗盡型MOSFET：
在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。當(dāng)UGS=0時(shí)押赊，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出了反型層饺藤，形成了溝道。
2.4 場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)
2.4.1. 柵極直流輸入電阻RGS：
場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻RGS很高
輸入電阻大其實(shí)更好
2.4.2. 交流參數(shù)
（1）跨導(dǎo)gm：
反映輸入電壓UGS對(duì)輸出電流ID的控制作用
當(dāng)ΔUGS很小時(shí)神帅，gm近似為該點(diǎn)切線斜率
a. 對(duì)JEFT和N-DMOSFET
（2）輸出交流電阻rds
rds=ΔUDS/ΔiD
通過(guò)相似枕稀，可化為rds=(|UA|+UDSQ)/IDQ
因?yàn)閨UA|>>UDSQ，所以rds=|UA|/IDQ
輸出端可等效為一個(gè)受控電流源并聯(lián)一個(gè)輸出電阻（為啥是并聯(lián)谜嫉，因?yàn)殡娏髟创?lián)電阻會(huì)使該電阻無(wú)意義Ｎ馈）
rds一般非常大
2.4.3 極限參數(shù)
（1） 漏源擊穿電壓：U(BR)DS，一般在20~50V
（2）柵源擊穿電壓：U(BR)GS
（3）最大功耗：PDM=iD*uDS
虛線往上的都超過(guò)了最大功耗沐兰，容易造成溫度升高
2.5 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路基礎(chǔ)
2.5.1 前言：
2.5.1.1 生活中的信號(hào)
通常是交流信號(hào)哆档，電路中的信號(hào)通常取正弦信號(hào)。
（由于傅里葉變換住闯，任何周期函數(shù)都可以通過(guò)正弦函數(shù)疊加得到）
2.5.1.2 對(duì)電路參數(shù)符號(hào)的規(guī)定：
2.5.1.3 直流通路和交流通路：
a. 直流通路：只考慮直流電源作用下瓜浸，直流電流流經(jīng)的通路（交流電壓短路、電感短路比原、電容開(kāi)路）
b. 交流通路：
只考慮交流信號(hào)插佛，電容的容抗一般很小，直流電源的交流內(nèi)阻也很小量窘，所以直流電壓對(duì)地短路雇寇、電容短路、電感斷路
注意左側(cè)電路圖電線交叉處沒(méi)有打點(diǎn)的地方代表沒(méi)有相連！
2.5.1.4 靜態(tài)工作點(diǎn)的作用：
使場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入恒流區(qū)工作
是放大電路工作的基礎(chǔ)（1.提供放大信號(hào)的能量來(lái)源 2.使管子進(jìn)入恒流區(qū)工作）
（假設(shè)沒(méi)有UDD锨侯，將UDD接地嫩海，則柵源電壓為0，管子截止囚痴。此時(shí)即使加入交流小信號(hào)ui叁怪，也無(wú)法使管子導(dǎo)通（因?yàn)閡i很小）深滚，從而無(wú)法產(chǎn)生輸出電流iD和輸出電壓uo）
2.5.2 放大原理分析：
a. ui=0奕谭，各點(diǎn)電壓電流恒定。（加圈的UDD等價(jià)于直流電源UDD和地相連）
（此時(shí)為靜態(tài)工作點(diǎn)）
此時(shí)通過(guò)UDD成箫，以及各處電阻展箱，使得UGS>UGSth，UDS>UDSoff蹬昌，即管子進(jìn)入恒流區(qū)混驰。
b. ui≠0時(shí)，UGS=UGSQ+ui皂贩，再通過(guò)C2隔直通交栖榨，將交流電壓ui輸出，輸出的uo比ui大明刷。
即達(dá)到了放大ui的目的婴栽。
從圖中可見(jiàn)，輸出電壓uo比ui大（uo與ui反相是因?yàn)楸材瑄DS=UDD-iD*RD, 所以u(píng)DS與iD反相愚争，uo是uDS的交流成分，所以也反向）
放大的基本原則：
1. 提供合適的直流電源挤聘，設(shè)置合適的工作點(diǎn)（否則會(huì)無(wú)法產(chǎn)生合適的波形轰枝、造成失真，后面會(huì)講）
2. 輸入信號(hào)作用在g-s回路（只有輸入電壓g-s才能在恒流區(qū)控制輸出電流iD)
3. 設(shè)置合理的信號(hào)通路（電容設(shè)置合理组去，才能在交流通路中視作短路）
2.6 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析
2.6.1 放大狀態(tài)下的直流偏置電路
1） 保證場(chǎng)效應(yīng)管工作在恒流區(qū)鞍陨；
2） 偏置下的工作點(diǎn)在環(huán)境溫度變化時(shí)，也要保持在恒流區(qū)
2.6.1.2 常用的兩種偏置電路
1）自給偏壓式
a. 剛開(kāi)始工作時(shí)从隆，UGS=0诚撵。（所以只適合JEFT和N-DMOSFET）
b. 電路存在負(fù)反饋機(jī)制，保持電路Q點(diǎn)的恒定键闺。
解析：當(dāng)IDQ增加寿烟，ISQ也增加，從而USQ增加辛燥，UGSQ負(fù)向增大韧衣，根據(jù)iD與UGS的曲線可知盅藻，IDQ會(huì)下降。
2）混合偏壓式
分壓式偏置（通過(guò)調(diào)節(jié)RG1和RG2以及UD的值畅铭，使管子進(jìn)入放大偏置狀態(tài)）氏淑。三種場(chǎng)效應(yīng)管都適用。分壓式偏置也有負(fù)反饋的優(yōu)點(diǎn)硕噩。
2.6.2 靜態(tài)工作點(diǎn)的求解（IDQ假残、UGSQ、UDSQ）
1）解析法
第一個(gè)式子：因?yàn)閕G=0 所以UG就是R2的分壓
第二個(gè)式子：ISQ就是輸出電流IDQ
第三個(gè)式子：UGSQ和IDQ都未知炉擅，因此還需要再聯(lián)立一個(gè)方程（該方程需要記憶；岳痢）
值得注意的是，最終可能求解出兩個(gè)IDQ的值谍失，因此需要再算出UGSQ的值眶俩，舍去|UGSQ|>|UGSoff|的值
最終，UDSQ=UDD-IDQ(RD+RS)
2）圖解法：
a. 自給分壓式：
首先列出iD-UGS的方程：
然后做出iD-UGS的圖線：
交點(diǎn)即為靜態(tài)工作點(diǎn)Q
（N-EMOSFET無(wú)交點(diǎn)說(shuō)明其不適用于自給分壓式偏置電路）
b. 混合偏置式：
同理快鱼，列方程聯(lián)立得交點(diǎn)颠印。（當(dāng)斜率過(guò)大，N-DMOSFET會(huì)不適用）
c. 輸出特性曲線下的圖解法
首先抹竹，求出iD-UDS的直流負(fù)載方程：
然后线罕，在輸出特性曲線上作出該方程的直線
直流工作狀態(tài)下的動(dòng)態(tài)分析：
a. 若R1增大，則直流負(fù)載線無(wú)變化窃判，但UGS分壓減小钞楼，所以輸出特性曲線下移，Q點(diǎn)沿直流負(fù)載線下移袄琳。若R1減小询件，UGS分壓增大，Q點(diǎn)沿直流負(fù)載線上移唆樊。R2與R1同理但是影響相反宛琅。
b. 若RD增大，則直流負(fù)載線與縱軸的交點(diǎn)下移窗轩，即Q點(diǎn)沿輸出特性曲線左移。
若RD減小座咆，則則直流負(fù)載線與縱軸的交點(diǎn)上移痢艺，即Q點(diǎn)沿輸出特性曲線右移。
RS與RD同理且影響相同介陶。
2.7 場(chǎng)效應(yīng)管工作狀態(tài)的判斷方法：
1）判斷是否進(jìn)入截止區(qū)
a. UDD<UGSth堤舒，則管子截止，UGS=UDD=UDS
b. UDD>=UGSth哺呜，則管子導(dǎo)通
2）判斷進(jìn)入恒流區(qū)or可變電阻區(qū)：
假設(shè)法：假設(shè)進(jìn)入恒流區(qū)舌缤，則有如下方程
聯(lián)立可得UGS、iD，進(jìn)而可得UDS国撵，最后可解出UGD
a. 若UGD<UGSth陵吸，則靠近漏極處的溝道夾斷，處于恒流區(qū)
a. 若UGD>=UGSth介牙，則靠近漏極處的溝道沒(méi)有夾斷壮虫，處于可變電阻區(qū)
2.8 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的交流圖解分析
前言：靜態(tài)分析與動(dòng)態(tài)分析：
交流圖解分析：
2.8.1 轉(zhuǎn)移特性曲線解析
由于ugs足夠小囚似，所以Q點(diǎn)曲線近似線性。因此iD也輸出一個(gè)正弦的小交流電流线得。
2.8.2 輸出特性曲線解析
由于饶唤，此時(shí)UDS會(huì)有交流信號(hào)增加（uDS=UDSQ+uds），所以直流負(fù)載線需要改化成交流負(fù)載線了贯钩。
根據(jù)交流通路有募狂，
交流負(fù)載線(iD-uDS)特點(diǎn)：
1. 經(jīng)過(guò)Q點(diǎn)
2. 斜率 k = -1/RL'
2.8.3 交流放大電路特點(diǎn)：
1. 疊加交流信號(hào)后，場(chǎng)效應(yīng)管各極電流方向魏保、極間電壓極性與靜態(tài)工作時(shí)相同熬尺。
2. 放大器的輸出與輸入信號(hào)反相。
3. 直流量保證了交流量的不失真谓罗。
2.9 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)范圍和線性失真：
Q點(diǎn)需要設(shè)置在恒流區(qū)的中點(diǎn)以保證不引起波形失真粱哼。
2.9.1 非線性失真
1）如果Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低——截止失真
可見(jiàn)，uGS可能會(huì)導(dǎo)致管子截止檩咱，從而iD在下半周出現(xiàn)“削底”的現(xiàn)象揭措。
從而uDS在上半周出現(xiàn)“胖頂”的現(xiàn)象。
2）如果Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高——可變電阻區(qū)失真
當(dāng)Q點(diǎn)過(guò)高刻蚯，動(dòng)態(tài)工作點(diǎn)會(huì)進(jìn)入可變電阻區(qū)绊含。在可變電阻區(qū)里，gm較小炊汹，也就是即使變化較大的ugs躬充，iD的變化會(huì)很小，輸出電流iD出現(xiàn)“胖頂”讨便，相應(yīng)的輸出電壓出現(xiàn)“削底”現(xiàn)象（底部限幅）充甚。
總結(jié)，非線性失真：當(dāng)輸入某一頻率的正弦信號(hào)霸褒，輸出波形中除基波Im伴找，還有一定數(shù)量的諧波（頻率與基波不同），則該失真為非線性失真废菱。它是由于放大電路中的非線性器件引起（場(chǎng)效應(yīng)管就是一種非線性器件）
剛才的截止失真和飽和失真都屬于非線性失真技矮。
2.9.2 放大電路的輸出范圍：
1）受截止失真限制，其最大不失真輸出電壓的幅度為
2）受可變電阻區(qū)失真限制衰倦，其最大不失真輸出電壓的幅度為
3）其中較小的即為放大器最大不失真電壓的幅度袒炉，而輸出動(dòng)態(tài)范圍為該幅度的兩倍，即
4）為了增大輸出動(dòng)態(tài)范圍耿币，最好把Q點(diǎn)設(shè)在恒流區(qū)的中點(diǎn)梳杏。
2.9.3 消除失真的方法
1）消除截止失真——上移Q點(diǎn)
a. 增大UGS——減小RG1或增大RG2
2）消除可變電阻區(qū)失真——降低Q點(diǎn)：
a. 減小UGS——增大RG1或減小RG2
b. 增大交流負(fù)載線斜率——減小RD或RS
2.10 其他類型的JEFT和MOSEFT擴(kuò)展
不難發(fā)現(xiàn)，P溝道的圖像與N溝道的圖像關(guān)于原點(diǎn)對(duì)稱淹接！所以優(yōu)先記好N溝道的圖像
且十性，截止區(qū)：UGS夾斷；
可變電阻區(qū)：UGS導(dǎo)通&UDS導(dǎo)通塑悼；
恒流區(qū)：UGS導(dǎo)通&UDS夾斷
同上同上~~
2.11 場(chǎng)效應(yīng)管的交流小信號(hào)模型
由于交流小信號(hào)時(shí)劲适，iD與ugs、iD與uds厢蒜，均成線性關(guān)系霞势，所以可以用線性網(wǎng)絡(luò)來(lái)模擬。
已知iD在大信號(hào)狀態(tài)下的電流方程為：
考慮到交流小信號(hào)狀態(tài)下的微變關(guān)系，而對(duì)上式兩邊求導(dǎo)得
從而，
gm反映了輸入電壓對(duì)輸出電流的控制能力
gds反映了輸出電壓對(duì)輸出電流的控制能力
因此可以畫(huà)出場(chǎng)效應(yīng)管的交流小信號(hào)等效模型：
分析：gmugs代表的是受控電流源创南，gdsuds代表的是阻值為1/gds的電阻。
它們的區(qū)別主要在于固以，ugs沒(méi)有直接作用于輸出回路，而是通過(guò)受控電流源間接地控制iD嘱巾。
而uds直接連接到輸出回路上了憨琳，所以直接用電阻來(lái)反映其對(duì)iD的控制即可。
2.12 等效電路法分析場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路
2.12.1 等效電路法分析的基本步驟：
1. 根據(jù)直流通路計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)
2. 確定放大器交流通路旬昭、交流等效電路
3. 計(jì)算放大器的各項(xiàng)交流指標(biāo)
2.12.2 放大電路的分類
1）共源
2）共漏
3）共柵
2.12.3 共源放大電路
2.12.3.1 共源放大電路的等效電路圖分析
a. 靜態(tài)工作點(diǎn)分析：前面有
b. 畫(huà)交流通路
注意區(qū)分漏極電阻和源極電阻
c. 交流小信號(hào)等效電路
2.12.3.2 共源放大電路的交流指標(biāo)分析
2.12.3.2.1. 電壓放大倍數(shù)
RL‘是rds與RD與RL的并聯(lián)骤坐。一般rds比較大绪杏，可以作開(kāi)路處理，所以RL‘就是RD與RL的并聯(lián)或油。
負(fù)號(hào)體現(xiàn)出輸出電壓與輸入電流的反相寞忿。
2.12.3.2.2. 輸入電阻Ri
a. 定義：從放大器輸入端看進(jìn)去的電阻
b. 計(jì)算：Ri=Ui/Ii=RG3+(RG1||RG2)驰唬，
c. 意義：RI表征為放大器從信號(hào)源獲得信號(hào)的能力顶岸，所以Ri越大越好
d. 測(cè)量：
2.12.3.2.3. 輸出電阻Ro
a. 定義：從放大器輸出端看進(jìn)去的電阻
b. 計(jì)算
c. 意義：是一個(gè)表征放大器的帶負(fù)載能力
2.12.3.3 帶源極電阻的共源放大電路
可見(jiàn)，加入源極電阻辖佣，電壓放大倍數(shù)下降了霹抛，輸入電阻、輸出電阻沒(méi)有影響卷谈。
但是杯拐，引入源極電阻的好處是，有負(fù)反饋了世蔗。（后面講）
2.12.4 共漏放大電路
2.12.4.1 共漏放大電路的等效電路圖分析
a. 直流通路：不再分析
b. 畫(huà)交流通路
c. 畫(huà)交流等效電路
2.12.4.2 交流指標(biāo)分析：
1)）電壓放大倍數(shù)：
Uo與Ui接近——跟隨器
2）輸入電阻Ri
3）輸出電阻Ro
右圖是Ui短路后的等效電路，但是此時(shí)Ugs≠0污淋，因此受控電流源保留顶滩。
進(jìn)一步分析有
因此Ro挺小的（幾百歐姆），共源的有幾千歐姆
因此這是共漏電路的一大優(yōu)點(diǎn)寸爆，使得輸出電壓穩(wěn)定礁鲁，通常放到輸出端口的最后一極，提高帶負(fù)載能力赁豆。
2.12.5 共柵放大電路
a. 畫(huà)直流通路
b. 畫(huà)交流通路
c. 畫(huà)交流等效電路
2.12.5.2 交流參數(shù)分析
1）電壓放大倍數(shù)
2） 輸入電阻
3）輸出電阻
共柵放大電路的缺點(diǎn)是輸入電阻較小、優(yōu)點(diǎn)是頻率特性較好魔种，適用于做寬頻電路析二。
