1.IIC(內部集成電路總線)? 串行總線? ? 板級之間硬件相互通信? 是一種同步半雙工總線
有一條時鐘線(SDK)素标;SDA(一條線头遭,在同一時間只能接收/發(fā)送)
主設備給從設備發(fā)送時鐘,單周期內1bit數(shù)據(jù)有效
串行不能同一時間和兩個從設備通信
有兩種模式:一主多從享潜;多主多從
當為空閑狀態(tài)時:都是高電平
2.傳輸協(xié)議:
起始信號:SCL(時鐘線)處于高電平剑按;SDA(數(shù)據(jù)線)由高到低的過程(下降沿)
結束信號:SCL處于高電平艺蝴;SDA由低到高(上升沿)
校驗:握手:應答(ACK? 產(chǎn)生一個低電平)猜敢;非應答(NACK 拉高或不動缩擂,產(chǎn)生一個高電平)
數(shù)據(jù):主——>從 胯盯;從——>主
3.在時鐘線的高低電平進行數(shù)據(jù)線的電平變換
在時鐘線的高電平時進行鎖存
LSB(低位在前);MSB(高位在前)
IIC所有數(shù)據(jù)都是MSB
Flash(閃存)根據(jù)傳輸數(shù)據(jù)叉趣,內部進行自增
4.ROM(掉電之后數(shù)據(jù)存儲不丟失):PROM(可編寫)君账;EPROM(可擦寫)乡数;EEPROM(電信號可擦寫净赴,可讀寫)存儲量小玖翅,造價高
RAM(掉電后數(shù)據(jù)會丟失):SRAM(靜態(tài)隨機存儲器 穩(wěn)定性高金度,造價高)猜极;DRAM(動態(tài)隨機存儲器? 電容放電跟伏,穩(wěn)定性低受扳,需要定時刷新)勘高;SDRAM相满;DDR
Flash(塊設備):Norflash(ROM的分支)立美;Nonflash(類似于磁盤建蹄,易有壞區(qū))
塊模塊:一般代表存儲設備
擦除的時候是以塊為單位的
5.端序(如0x12345678):大端序(12? 34? 56? 78)洞慎;小端序(78? 56? 34? 12)
6.寫:起始信號+(設備號【7】+傳輸 0【1】+應答【1】)+(從設備內地址【8】+應答)+多個數(shù)據(jù)(多位8bit數(shù)據(jù)+應答)+結束信號
讀:起始信號+(設備號+傳輸0+應答)+(從設備內地址+應答)+起始位+(設備號+傳輸1+應答)+(從數(shù)據(jù)+主應答)+.......+(從數(shù)據(jù)+主非應答)+結束信號
IIC對同一設備調整方向中間可以不發(fā)結束信號
OTB 一次性擦寫丹允;WP寫保護