模電:半導(dǎo)體和PN結(jié)
半導(dǎo)體(semi-conductor)刀森,是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料踱启。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺研底、砷化鎵等埠偿,而硅是在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。
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本征半導(dǎo)體
純凈不含雜質(zhì)的半導(dǎo)體飘哨,稱(chēng)為本征半導(dǎo)體胚想。
以硅晶體結(jié)構(gòu)為例:
硅是+4價(jià)原子,外部有4個(gè)電子芽隆。硅晶體內(nèi)部浊服,每?jī)蓚€(gè)硅原子之間都有2個(gè)電子組成共價(jià)鍵。
我們知道胚吁,水流是由水的移動(dòng)形成的牙躺,水分子是水流的載流子;同樣腕扶,帶電荷的可移動(dòng)粒子是電流的載流子孽拷。由于受到共價(jià)鍵的束縛,原子核(帶正電荷)和電子(帶負(fù)電荷)都不可移動(dòng)的半抱,所以硅的導(dǎo)電性能比較差脓恕。
硅晶體的共價(jià)鍵并不是非常堅(jiān)固膜宋,由于受到熱、光等能量的激發(fā)作用炼幔,部分電子獲得足夠的能量秋茫,可以擺脫共價(jià)鍵的束縛,帶負(fù)電荷的電子便可以移動(dòng)了乃秀,支持了電流的形成肛著。這個(gè)電子離開(kāi)原子后,共價(jià)鍵就少了一個(gè)電子跺讯,留下一個(gè)空位置(我們稱(chēng)為空穴)枢贿,該原子失去電子的同時(shí),變成了帶正電荷的離子刀脏。因?yàn)檫@種帶正電荷的離子都有一個(gè)空穴局荚,我們不如將空穴視為帶正電荷的“粒子”(實(shí)際上空穴不是粒子,但是原子有空穴火本,就代表此處帶正電)危队。
這種由于熱激發(fā)產(chǎn)生了一對(duì)“自由電子”和“空穴”的過(guò)程,稱(chēng)為钙畔。自由電子帶負(fù)電荷茫陆,空穴代表正電荷。自由電子和空穴都是半導(dǎo)體的載流子擎析。
同理簿盅,自由電子和空穴也可以復(fù)合,復(fù)合后一對(duì)自由電子揍魂、空穴消失桨醋,同時(shí)釋放能量。
常溫下现斋,本征激發(fā)產(chǎn)生的自由電子非常少喜最,導(dǎo)電性很差,介于絕緣和導(dǎo)體之間庄蹋,所以稱(chēng)其為半導(dǎo)體瞬内。
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雜質(zhì)半導(dǎo)體
摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。
由于本征導(dǎo)電性能差限书,如果參入+5價(jià)或者+3價(jià)的原子虫蝶,可以大大提高其導(dǎo)電性能。
比如倦西,摻入+5價(jià)的磷原子后能真,磷的4個(gè)電子和周?chē)?個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵,還剩有1個(gè)電子,由于不受共價(jià)鍵束縛可以自由移動(dòng)粉铐,這種雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為N型半導(dǎo)體疼约。N代表負(fù)極性Negetive,由于引入了1個(gè)自由電子秦躯,所以稱(chēng)為N型半導(dǎo)體忆谓。
同理裆装,摻入+3價(jià)的硼原子后踱承,硼的3個(gè)電子和周?chē)?個(gè)硅原子形成共價(jià)鍵的話(huà),會(huì)出現(xiàn)一個(gè)空穴哨免,這種雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為P型半導(dǎo)體茎活。P代表正極性Positive。
PN結(jié)
將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體放在一起后琢唾,在它們的接觸面會(huì)形成PN結(jié)载荔。
PN結(jié)最顯著的特點(diǎn)是:電流單向?qū)ā?/p>
我們都在初中物理中都學(xué)過(guò)擴(kuò)散原理。由于濃度不均勻而產(chǎn)生的粒子定向運(yùn)動(dòng)采桃,叫做擴(kuò)散懒熙。
當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起后,雖然原子受共價(jià)鍵作用不能移動(dòng)普办,但是空穴和自由電子是可以移動(dòng)的工扎。于是,在接觸面附近的電子和空穴會(huì)向?qū)Ψ絽^(qū)域移動(dòng)而復(fù)合消失衔蹲。
在接觸面附近肢娘,失去電子和空穴的原子變成了帶電離子,但由于共價(jià)鍵束縛不可移動(dòng)舆驶,便形成了一個(gè)內(nèi)部電場(chǎng)橱健。
這個(gè)內(nèi)電場(chǎng)形成后,反過(guò)來(lái)又阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)沙廉。最后會(huì)達(dá)到一個(gè)動(dòng)態(tài)的平衡拘荡。中間這個(gè)內(nèi)電場(chǎng)區(qū)域,因?yàn)橹挥须x子也叫空間電荷區(qū)撬陵。內(nèi)電場(chǎng)形成的電勢(shì)阻止了電子和空穴的擴(kuò)散珊皿、復(fù)合,在PN之間形成了一道壁壘袱结,所以又稱(chēng)為勢(shì)壘區(qū)亮隙。這就是PN結(jié)的形成過(guò)程。
提一下垢夹,由于內(nèi)電場(chǎng)的作用溢吻,使載流子產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng),叫做漂移運(yùn)動(dòng)。PN結(jié)內(nèi)促王,漂移運(yùn)動(dòng)方向和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是相反的犀盟。
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PN結(jié)的特點(diǎn)
PN結(jié)最顯著的特點(diǎn)是:電流正向?qū)ǎ聪蚪刂?/strong>蝇狼。
給PN結(jié)外加正向電壓時(shí)阅畴,我們稱(chēng)為正向偏置,簡(jiǎn)稱(chēng)正偏迅耘。
正偏狀態(tài)下贱枣,外加的電場(chǎng)會(huì)削弱內(nèi)電場(chǎng)的壁壘作用,空間電荷區(qū)變窄颤专,電子和空穴穿越空間電荷區(qū)會(huì)容易些纽哥。在外電場(chǎng)的持續(xù)作用下,便可以形成持續(xù)的電流栖秕。外電場(chǎng)越大春塌,電流越大。
給PN結(jié)外加反向電壓時(shí)簇捍,我們稱(chēng)為反向偏置只壳,簡(jiǎn)稱(chēng)反偏。
反偏狀態(tài)下暑塑,外加的電場(chǎng)會(huì)增強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng)的壁壘作用吼句,空間電荷區(qū)變寬,電子和空穴更加難以進(jìn)入空間電荷區(qū)梯投,不能形成持續(xù)的電流命辖。
劃重點(diǎn):PN結(jié)形成過(guò)程
▼載流子濃度不均->擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)->在P、N接觸面分蓖,電子空穴復(fù)合消失
▼離子不能移動(dòng)->空間電荷區(qū)->內(nèi)電場(chǎng)->漂移運(yùn)動(dòng)尔艇、阻止擴(kuò)散->動(dòng)態(tài)平衡,形成PN結(jié)
用PN結(jié)做成的器件就是二極管么鹤。其實(shí)這種單向?qū)ǖ奶攸c(diǎn)终娃,在生活中也很常見(jiàn),比如蒸甜,車(chē)站單向出口旋轉(zhuǎn)門(mén)棠耕,輪胎的氣門(mén)芯,防止水管逆流的止回閥柠新,心臟和血管里防止血液逆流的瓣膜窍荧。
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1蕊退、去看看二極管長(zhǎng)啥樣
2郊楣、PN結(jié)二極管的什么時(shí)候發(fā)明的