? IGBT模塊是使用非常多的開關(guān)器件巡社，在電子設(shè)備中也經(jīng)常是發(fā)熱的主要部分。實(shí)際的IGBT模塊比較復(fù)雜手趣，由很多層材料組成晌该，在用FLOTHERM仿真時(shí)建模也很不方面，為了得到比較準(zhǔn)確的結(jié)果绿渣，又不使模型過于復(fù)雜化朝群，可以使用雙熱阻模型。在雙熱阻模型中符，芯片只需設(shè)置發(fā)熱工耗和尺寸姜胖，不用再一層一層材料去建模，可以又熱設(shè)計(jì)工程師省去很多網(wǎng)格處理時(shí)間淀散。但使用雙熱阻模型時(shí)也應(yīng)當(dāng)注意右莱，器件規(guī)格書中出現(xiàn)的結(jié)殼熱阻數(shù)值是以JEDEC規(guī)定的測試標(biāo)準(zhǔn)測試出來的蚜锨，所以在具體使用時(shí)，由于條件不同慢蜓，會存在一些偏差亚再。
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