前言
1痹束、要對(duì)NAND FLASH 的底層結(jié)構(gòu)喲充分的了解才能在上層應(yīng)用中更好得更具其所具有的特性進(jìn)行相應(yīng)的改進(jìn)。（也許這就是所謂的深度定制吧绳矩、或者叫做優(yōu)化）
參考文獻(xiàn)：http://www.360doc.com/content/13/0408/14/4186481_276901325.shtml
http://www.ssdfans.com/nand-error%E6%9C%BA%E5%88%B6%E8%A7%A3%E6%9E%90/
內(nèi)容
Flash全名叫做Flash Memory扫沼，屬于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備(Non-volatile Memory Device)
知道所要了解的內(nèi)容的英文名字是必須的噩峦。
讀、寫(xiě)谴仙、擦除的簡(jiǎn)單描述：
1.對(duì)于NAND Flash的寫(xiě)入（編程)央星，就是控制Control Gate去充電（字線Control Gate加壓），使得懸浮門(mén)存儲(chǔ)的電荷夠多传货，超過(guò)閾值Vth屎鳍，就表示0。
2.對(duì)于NAND Flash的擦除(Erase)问裕，就是對(duì)懸浮門(mén)放電（位線加壓）逮壁，低于閥值Vth，就表示1粮宛。
3讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候給控制柵加讀取電壓窥淆，對(duì)于浮置柵中有電荷的單元來(lái)講卖宠，浮置柵中的電荷可以抵消提供給控制柵的電壓，造成閾值電壓升高忧饭。與浮置柵中沒(méi)有電荷時(shí)的情況相比扛伍，如果不給控制柵提供更高電壓，則漏極-源極之間不會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài)词裤。因此刺洒，通過(guò)向控制柵加讀取電壓，判斷漏極-源極之間是否處于導(dǎo)通狀態(tài)吼砂，可以判斷浮置柵有沒(méi)有存儲(chǔ)電荷逆航，進(jìn)而判斷該存儲(chǔ)單元是”1″還是”0″
讀、寫(xiě)帅刊、擦除的詳細(xì)描述：
1纸泡、寫(xiě)
1、如圖所示赖瞒，綠色的Cell是寫(xiě)0女揭，它們需要Program，紅色的cell寫(xiě)1栏饮，并不需要Program吧兔。我們把綠色的Cell稱(chēng)為Programmed Cells，紅色的Cell稱(chēng)為Stressed Cells袍嬉。寫(xiě)某個(gè)Page的時(shí)候境蔼，會(huì)在其WordLine的控制極加一個(gè)正電壓(下圖是20V),對(duì)于Programmed Cells所在的String，它是接地的伺通，對(duì)于不需要Program Cell所在的String箍土，則接一正電壓（下圖為10V）。
2罐监、讀操作
讀取NAND的某個(gè)Page時(shí)吴藻，Block當(dāng)中未被選取的Page控制極都會(huì)加一個(gè)正電壓，以保證未被選中的MOS管是導(dǎo)通的
