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1.本征半導體
- 單質半導體材料是具有 4 價共價鍵晶體結構的硅 Si 和鍺 Ge。
- 導電能力介于導體和絕緣體之間坡垫。
- 特性：光敏雏胃、熱敏和摻雜特性吐葱。
- 本征半導體：純凈的、具有完整晶體結構的半導體。在一定的溫度下仗处，本征半導體內的最重要的物 理現象是本征激發(fā)（又稱熱激發(fā)），產生兩種帶電性質相反的載流子（空穴和自由電子對）枣宫，溫度越 高婆誓，本征激發(fā)越強。
- 空穴是半導體中的一種等效+q 的載流子也颤⊙蠡茫空穴導電的本質是價電子依次填補本征晶體中空位， 使局部顯示+q 電荷的空位宏觀定向運動翅娶。
- 在一定的溫度下文留，自由電子和空穴在熱運動中相遇，使一對自由電子和空穴消失的現象稱為 復合竭沫。當熱激發(fā)和復合相等時燥翅，稱為載流子處于動態(tài)平衡狀態(tài)。
2．雜質半導體
- 在本征半導體中摻入微量雜質形成的半導體蜕提。體現的是半導體的摻雜特性森书。
- P 型半導體：在本征半導體中摻入微量的 3 價元素（多子是空穴，少子是電子）。
- N 型半導體：在本征半導體中摻入微量的 5 價元素（多子是電子拄氯，少子是空穴）。
- 雜質半導體的特性
- 載流子的濃度：多子濃度決定于雜質濃度它浅，幾乎與溫度無關译柏；少子濃度是溫度的敏感函數。
- 體電阻：通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻姐霍。
- 在半導體中鄙麦，存在因電場作用產生的載流子漂移電流（與金屬導電一致），還才能在因載流子濃度差而產生的擴散電流镊折。
3. PN 結
- 在具有完整晶格的 P 型和 N 型半導體的物理界面附近胯府，形成一個特殊的薄層（PN 結）。
- PN 結中存在由 N 區(qū)指向 P 區(qū)的內建電場恨胚，阻止結外兩區(qū)的多子的擴散骂因，有利于少子的漂移。
- PN 結具有單向導電性：正偏導通赃泡，反偏截止寒波，是構成半導體器件的核心元件。
1.正偏 PN 結（ P+升熊， N-）：具有隨電壓指數增大的電流俄烁，硅材料約為 0.6-0.8V，鍺材料約為 0.2-0.3V级野。
2.反偏 PN結（P-页屠，N+）：在擊穿前，只有很小的反向飽和電流 Is蓖柔。
3.PN 結的伏安（曲線）方程：
PN 結的伏安（曲線）方程：
PN結的形成
PN結的接觸電位差
PN結的伏安特性
PN結的伏安特性
結論： PN結具有單向導電性
PN結電流方程
PN結的反向擊穿特性
PN結的電容
PN結的電容
PN結的電致發(fā)光
PN結的電致發(fā)光
PN結的光電效應
PN結的光電效應
