光刻技術(shù)
光刻
一種將掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的圖形復(fù)制技術(shù)，光刻得到的圖形一般作為后續(xù)工藝的掩膜掠河。
光刻膠
（光致刻蝕劑）是由高分子聚合物亮元、增感劑、溶劑以及其他添加劑組成的混合物唠摹，在一定波長的光照射下爆捞，高分子聚合物的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變。
正膠：經(jīng)過光照的區(qū)域高分子材料發(fā)生裂解勾拉，在顯影液中溶解煮甥，未照射的區(qū)域保留。顯影后圖形與掩膜版上不透光的圖形相同藕赞。分辨率高成肘，粘附性差，成本高斧蜕。
負(fù)膠：經(jīng)過光照的區(qū)域發(fā)生交聯(lián)双霍，在顯影液中不溶解，未照射區(qū)域溶解。曝光顯影后的圖形與不透光的圖形相反店煞。感光速度快，粘附性好风钻，成本低顷蟀，分辨率較低。
顯影液
正膠顯影液：堿金屬水溶液骡技，如NaOH/NH4OH/TMAH
負(fù)膠顯影液：有機(jī)溶劑，如二甲苯等
氧化層上的正膠：硫酸：雙氧水=3:1
金屬上的正膠：有機(jī)溶劑，如丙酮
氧化層上的負(fù)膠：硫酸：雙氧水=3:1
金屬上的負(fù)膠：氯化物溶劑
變性的光刻膠（如作為注入或刻蝕掩膜的光刻膠層）：氧等離子體
光刻的主要步驟
0.粘附性處理：硅片暴露在六甲基二硅胺烷HMDS蒸汽中科吭，增加光刻膠與硅片的粘附強(qiáng)度
TIPS·
預(yù)處理完的硅片應(yīng)在一定的時(shí)間內(nèi)盡快涂膠纯出，以免表面吸附空氣中的水分，降低增粘效果是趴。
同時(shí)也要充分冷卻涛舍，因硅片的溫度對(duì)膠厚有很大的影響。
反復(fù)預(yù)處理反而會(huì)降低增粘效果唆途。
HMDS的瓶蓋打開后富雅，其壽命有限，一定要盡快用完肛搬。
1.勻膠：硅片真空吸附在離心式勻膠機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)没佑，把滴在硅片表面的光刻膠涂覆均勻
2.前烘：加熱蒸發(fā)光刻膠部分溶劑，使光刻膠層初步固化
3.對(duì)準(zhǔn)和曝光：轉(zhuǎn)移圖形
4.顯影：把硅片放在顯影液中溶解去掉正膠光照部分或者負(fù)膠非光照部分
5.后烘：加熱硅片使光刻膠中的溶劑進(jìn)一步蒸發(fā)温赔，提高掩膜效果
