定義：見光死，就是它了
光刻膠（英語：photoresist）挎塌，亦稱為光阻或光阻劑徘六，是指通過紫外光内边、深紫外光榴都、電子束、離子束漠其、X射線等光照或輻射嘴高，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的關鍵材料和屎，主要應用于集成電路和半導體分立器件的細微圖形加工拴驮。
名詞
有些地區(qū)國家也叫它“光阻”哦
光刻膠，resist 都是它
化學式
光刻膠通常使用在紫外光波段或更小的波長(小于400納米)進行曝光柴信。根據(jù)使用的不同波長的曝光光源套啤，如KrF（248nm），ArF（193nm）和EUV（13.5nm）随常，相應的光刻膠組分也會有一定的變化潜沦。如248nm光刻膠常用聚對羥基苯乙烯及其衍生物為光刻膠主體材料，193nm光刻膠為聚酯環(huán)族丙烯酸酯及其共聚物绪氛，EUV光刻膠常用聚酯衍生物和分子玻璃單組分材料等為主體材料唆鸡。除主體材料外，光刻膠一般還會添加光刻膠溶劑枣察，光致產(chǎn)酸劑争占，交聯(lián)劑或其他添加劑等燃逻。
分個類吧
正負膠的定義
光刻膠根據(jù)在顯影過程中曝光區(qū)域的去除或保留可分為兩種－正性光刻膠（positive photoresist）和負性光刻膠（negative photoresist）。
正性光刻膠之曝光部分發(fā)生光化學反應會溶于顯影液臂痕，而未曝光部分不溶于顯影液伯襟，仍然保留在襯底上，將與掩膜上相同的圖形復制到襯底上握童。
負性光刻膠之曝光部分因交聯(lián)固化而不溶于顯影液逗旁，而未曝光部分溶于顯影液，將與掩膜上相反的圖形復制到襯底上舆瘪。
