定義:見光死,就是它了
光刻膠(英語:photoresist)挎塌,亦稱為光阻或光阻劑徘六,是指通過紫外光内边、深紫外光榴都、電子束、離子束漠其、X射線等光照或輻射嘴高,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關鍵材料和屎,主要應用于集成電路和半導體分立器件的細微圖形加工拴驮。
名詞
有些地區(qū)國家也叫它“光阻”哦
光刻膠,resist 都是它
化學式
光刻膠通常使用在紫外光波段或更小的波長(小于400納米)進行曝光柴信。根據(jù)使用的不同波長的曝光光源套啤,如KrF(248nm),ArF(193nm)和EUV(13.5nm)随常,相應的光刻膠組分也會有一定的變化潜沦。如248nm光刻膠常用聚對羥基苯乙烯及其衍生物為光刻膠主體材料,193nm光刻膠為聚酯環(huán)族丙烯酸酯及其共聚物绪氛,EUV光刻膠常用聚酯衍生物和分子玻璃單組分材料等為主體材料唆鸡。除主體材料外,光刻膠一般還會添加光刻膠溶劑枣察,光致產(chǎn)酸劑争占,交聯(lián)劑或其他添加劑等燃逻。
分個類吧
正負膠的定義
光刻膠根據(jù)在顯影過程中曝光區(qū)域的去除或保留可分為兩種-正性光刻膠(positive photoresist)和負性光刻膠(negative photoresist)。
正性光刻膠之曝光部分發(fā)生光化學反應會溶于顯影液臂痕,而未曝光部分不溶于顯影液伯襟,仍然保留在襯底上,將與掩膜上相同的圖形復制到襯底上握童。
負性光刻膠之曝光部分因交聯(lián)固化而不溶于顯影液逗旁,而未曝光部分溶于顯影液,將與掩膜上相反的圖形復制到襯底上舆瘪。