離子注入將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束粉捻，在電場中加速而獲得極高的動能后蜈亩，注入到硅中而實(shí)現(xiàn)摻雜煮盼。（E>50KeV）
si中能量與影程關(guān)系PNG.PNG
光刻膠中能量和影程關(guān)系.PNG
SIO2中能量和影程關(guān)系.PNG
SI3N4中能量和影程關(guān)系.PNG
R：射程圆凰，離子在靶內(nèi)的總路線長度
Rp：投影射程 R在入射方向上的投影
ΔRp：標(biāo)準(zhǔn)偏差，垂直于入射方向平面上的標(biāo)準(zhǔn)偏差
注入離子在靶內(nèi)的縱向濃度分布可近似取高斯函數(shù)
濃度.PNG
注入劑量.PNG
Q控制.PNG
阻擋層厚度.PNG
所需掩膜層厚度（結(jié)深）.PNG
m近似取3（阻擋99%）
NB為襯底濃度
電阻率和雜質(zhì)濃度關(guān)系.png
工藝控制參數(shù)：
雜質(zhì)離子種類缚忧；
注入能量悟泵；
注入劑量；
束流闪水；
注入掃描時間
通道效應(yīng)克服：斜面注入7度角
SIO2薄層散射離子（200-250埃）
注入損傷改善：
在氮?dú)饣蚨栊詺怏w氣氛下糕非，極短時間內(nèi)，把晶片溫度提高到1000度以上球榆。（快速退火100秒到納秒）
退火溫度和結(jié)深關(guān)系.PNG
