本篇筆記來源于日常實(shí)驗(yàn)工作中的某一個案例。
一崖技、實(shí)驗(yàn)設(shè)備介紹
SUSS紫外光刻機(jī)是設(shè)計(jì)用于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)逻住，小批量生產(chǎn)的高分辨率光刻系統(tǒng)。SUSS紫外光刻機(jī)具有以下幾個特點(diǎn)：
1迎献、樣品尺寸選擇性多：2英寸瞎访，3英寸，4英寸忿晕，6英寸和不規(guī)則小片恒定光強(qiáng)
2装诡、曝光模式多樣：真空曝光（vac），硬接觸（hard）践盼，軟接觸（soft）鸦采，近鄰（prox）
3、最小線寬：0.8 μm（真空模式）
4咕幻、對準(zhǔn)精度：0.5 μm
5渔伯、X-和Y-向位移精度在0.1 μm以下
6、均勻性：6英寸范圍內(nèi)保證2%的均勻性
7肄程、高精度的間距設(shè)置
二锣吼、UV光刻的四種曝光模式
主要對比介紹SUSS紫外光刻機(jī)的四種曝光模式，以2 um線寬四種曝光作業(yè)的效果為例蓝厌。
1.?真空接觸（vac）：在掩膜版和基片中間抽氣玄叠，形成微真空環(huán)境，使二者更加好的貼合拓提。
2.?硬接觸（hard）：是將基片通過一個氣壓（氮?dú)猓享敶M(jìn)而與掩膜接觸寺惫；
3.?軟接觸（soft）：就是把基片通過托盤吸附妆囊伞（類似于勻膠機(jī)的基片放置方式）西雀，掩膜蓋在基片上面；
4.?接近式曝光（prox）：掩膜板與光刻膠基底層保留一個微小的縫隙（gap）艇肴，gap大約為0~200 μm。
三豆挽、小結(jié)
前三種統(tǒng)稱為接觸式曝光，曝光精度一般排序：軟<硬<真空接觸券盅，接觸的越緊密帮哈，分辨率越高，當(dāng)然接觸的越緊密锰镀，掩膜版和襯底材料的損傷就越大娘侍，適合科學(xué)研究及小批量試驗(yàn)方面應(yīng)用。
接近式曝光對比接觸式曝光泳炉，精度相對差憾筏，曝光小線寬精度差距尤其明顯。然而花鹅，接近式曝光可以有效避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷氧腰，使掩膜版和光刻膠基底能耐久使用，掩模版壽命長(可提高10倍以上)，圖形缺陷少古拴，在現(xiàn)代光刻工藝中應(yīng)用最為廣泛箩帚，適應(yīng)用于寬線條量產(chǎn)，大批量生產(chǎn)黄痪。
END（若有價值紧帕，還望您辛苦，點(diǎn)贊支持一下桅打，謝謝）
不積珪步是嗜，無以至千里；不積細(xì)流挺尾，無以成江海鹅搪。做好每一份工作，都需要堅(jiān)持不懈的學(xué)習(xí)遭铺。
