240 發(fā)簡信
IP屬地:北京
個人介紹
本人系北京有色金屬研究總院、有研半導體材料股份有限公司高級工程師臭杰。
自1963年年底至今粤咪,一直從事半導體材料“鍺和硅”領域的科研、試制硅卢、生產(chǎn)工作射窒。
1963年底參加了我國第一條《半導體材料鍺(Ge)單晶試制生產(chǎn)線》項目工程籌建工程的“土建、設備安裝将塑、調(diào)試脉顿、驗收及生產(chǎn)的全過程”的相關工作。此后相繼參加了“直拉鍺(Ge)單晶点寥、水平鍺(Ge)的重摻砷(As)艾疟、重摻汞(Hg)的鍺(Ge)單晶的研制、生產(chǎn)”等的技術工作敢辩。
1968年 ~ 1984年從事“硅離子注入機”的研制及“硅離子注入工藝”研究等工作蔽莱。
1984年后至今幾從事著“半導體材料硅(Si)直徑2 ~ 3 ~ 4 ~ 6 ~ 8 ~ 12英寸硅(Si)單晶拋光片”領域一系列科研、攻關戚长、試制盗冷、生產(chǎn)項目的技術工作。共獲得國家同廉、部市級獎15項(國家仪糖、部級科技進步二等獎4項柑司、部級科技進步一等獎2項和三等獎4項、其它科技進步二锅劝、三等獎5項)攒驰。
2003年7月,參加《國內(nèi)外半導體材料標準匯編》一書中有關SEMI標準譯稿的編審工作故爵〔7啵《國內(nèi)外半導體材料標準匯編》一書已于2004年3月由“中國標準出版社”出版發(fā)行。之后編著出版了《硅單晶拋光片的加工技術》和《硅片的加工技術》專著诬垂。
2019年在在十多年前所編著出版的《硅單晶拋光片的加工技術》和《硅片加工技術》“兩本著書”內(nèi)容的基礎上對其內(nèi)容進行增刪劲室、重新整理,并且又補充增加了近十年來一些相關的新的內(nèi)容而重新編著成《芯片用硅晶片的加工技術》一書以提供給致力于從事半導體硅(Si)晶片加工領域的工程技術人員结窘、企業(yè)管理人員或在校學生和熱愛半導體材料硅(Si)的各界朋友參考痹籍、使用。(專著待
出版)晦鞋。 近幾年有機、有緣仍為“直徑300 mm硅拋光生產(chǎn)線”某些項目建設做一些相關技術工作棺克。

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