markdown15 高斯定理by阮道杰

平面捅暴、球、圓柱帶電體的場強(qiáng):高斯定理

知識點


  • 電通量

  • 高斯定理

    • 高斯面
    • 矢量積分轉(zhuǎn)化為標(biāo)量積分
    • Q_內(nèi)
  • 平面對稱的電場

  • 球?qū)ΨQ帶電體的電場

    • (a)做通過某場點的同心球面作為高斯面纱皆,隨后將對該面應(yīng)用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}

    • (b)公式中Q_{\text{內(nèi)}}是指的這個高斯面所包圍的體積內(nèi)部的總電量。一定要想清楚電荷到底是如何分布的歇父。在復(fù)雜的問題中,往往需要借助電荷密度來求解再愈。

    • (c) 設(shè)該場點的電場強(qiáng)度榜苫,大小為E,則該面的電通量必然為E\cdot4\pi r^{2}翎冲,其中4\pi r^{2}是高斯球面的面積垂睬。

    • (d)于是得到核心方程:E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}},解出E 即可抗悍。

  • 軸對稱帶電體的電場

    • (a)通過該場點做同軸圓柱作為高斯面驹饺,隨后將對該面應(yīng)用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}
    • (b)公式中Q_{\text{內(nèi)}}是指的這個高斯面所包圍的體積內(nèi)部的總電量檐春。一定要想清楚電荷到底是如何分布的逻淌。在復(fù)雜的問題中,往往需要借助電荷密度來求解疟暖。
    • (c) 設(shè)該場點的電場強(qiáng)度卡儒,大小為E田柔,則該面的電通量必然為E\cdot2\pi rh,其中2\pi rh是高斯面(圓柱)的側(cè)面積骨望。
    • (d)于是得到核心方程:E\cdot2\pi rh=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}硬爆,解出E 即可。

表達(dá)題


  • 一個非閉合面的電通量擎鸠,其直觀物理意義是貫穿某個面(比如一張紙缀磕,一面是紅色,一面是黑色)的電場線的條數(shù)劣光。注意袜蚕,這里的貫穿,是指的從一面紅色绢涡,從黑色穿出牲剃;即:電場線必須跟那張紙發(fā)生“交叉”,而不能是平行雄可。則在勻強(qiáng)電場(E)中凿傅,如圖所示的半徑為R,高度為H的半圓筒数苫,圓筒的軸線與電場線平行聪舒。則其電通量為( )

解答:0.

  • 一個閉合面的電通量,其直觀物理意義是穿出虐急、穿入它的電場線的次數(shù)箱残。注意,穿出為正貢獻(xiàn)止吁、穿入為負(fù)貢獻(xiàn)疚宇。則如圖所示,,則其電通量為( )

解答:0

  • 勻強(qiáng)電場中赏殃,平面的電通量的計算式為:

\vec E\cdot \vec S

  • 電通量的積分表達(dá)式為:

\int\vec{E}\cdot d\vec{S}

  • 高斯定理的公式是\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}。如圖所示有三個點電荷间涵,分別為q_{1},q_{2},q_{3}仁热。我們畫一個封閉的曲面,將q_{1},q_{2}圍在里面勾哩,而讓q_{3}呆在該封閉曲面的外圍抗蠢。在此情形下,請分析高斯定理中的各項思劳。

解答:封閉曲面的通量跟內(nèi)電荷有關(guān)迅矛,跟外電荷無關(guān)。
Q=
q_1+q_2潜叛。
根據(jù)場強(qiáng)疊加原理秽褒,任一點的\vec{E}?
-所有電荷__有關(guān)壶硅。


  • 所有無限大的均勻帶電的平面或平板,以及由它們彼此平行合成的各種組合體销斟,均簡稱“平面帶電體”庐椒。畫圖描述這類帶電體的場強(qiáng)特征:

解答:
圖片發(fā)自簡書App
  • 任何無限大均勻帶電平板,做圖示的高斯面蚂踊,則其通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}計算出來必然為

解答:\frac{\sigma S}{\epsilon}

  • “平板帶電體”求電場\vec{E}的思路是:(a)通過某場點约谈,在平板兩邊對稱地做一個圓柱型表面作為高斯面,隨后將對該面應(yīng)用高斯定理:\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}犁钟;
    (b)公式中Q_{\text{內(nèi)}} 指的這個高斯面所包圍的體積內(nèi)部的總電量棱诱。一定要想清楚電荷到底是如何分布的。在復(fù)雜的問題中涝动,往往需要借助電荷密度來求解迈勋。
    (c) 設(shè)該場點的電場強(qiáng)度,大小為E捧存,則該面的電通量必然為2ES粪躬,其中S是圓柱型表面的底面積。
    (d)于是得到核心方程:2ES=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}昔穴,解出E 即可镰官。
    現(xiàn)在有一個均勻帶電的平板,電量體密度為\rho吗货,平板的厚度是D泳唠。我們想求出該平板外部,距離中心為x處的場點的電場(x>D/2)宙搬。我們過該點笨腥,做圖示的高斯面。設(shè)該點電場大小為E勇垛,則核心方程可能為:

解答:2ES=\frac{\rho D S}{\epsilon_0}

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的平板脖母,電量體密度為\rho,平板的厚度是D闲孤。我們想求出該平板內(nèi)部谆级,距離中心為x處的場點的電場(x<D/2)。我們過該點讼积,做圖示的高斯面肥照。設(shè)該點電場大小為E,則核心方程可能為:

解答:ES=\frac{\rho x S}{\epsilon_0}

  • 無限大均勻帶電平面勤众,電荷面密度為\sigma舆绎,則其電場為

解答:\frac{\sigma}{2\epsilon_0}

  • 組合帶電體的場強(qiáng)請用疊加原理∶茄眨考慮如圖的“組合帶電體”:由一個平面(電荷面密度\sigma)和一個平板(電荷體密度\rho)進(jìn)行平行組合而成吕朵。則P點的場強(qiáng)為( ) ","

解答:\frac{\rho D}{2\epsilon_0}-\frac{\sigma}{2\epsilon_0}


  • 所有均勻帶電的球體猎醇,球殼,球面边锁,以及由它們合成的各種“同心”組合體姑食,均叫做“球?qū)ΨQ帶電體”。請畫圖表示這類帶電體的場強(qiáng)特征

提示:距離球心為r的各點茅坛,場強(qiáng)的大小都相等音半,并且方向一定在徑向(球心——場點連線方向)上。

  • 某半徑為R的均勻帶電實心球體贡蓖,設(shè)某場點到球心的距離是r曹鸠,場強(qiáng)的大小是E。現(xiàn)在做半徑為r的虛擬球面(高斯面)斥铺,則該面的電通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}為( )

解答:\frac{Q}{\epsilon_0}

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球殼彻桃,總電量為Q,球殼的半徑是R晾蜘,球殼厚度可以忽略邻眷。我們想求出該球殼內(nèi)部,距離球心為rM處的電場(r<R)剔交。我們過該點肆饶,做半徑為r 的同心球面作為高斯面。設(shè)該點電場大小為E岖常,則核心方程可能為:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出電場來驯镊,觀察其規(guī)律可能為:(請理解、歸納竭鞍、記憶)
    (5) 均勻帶電的薄球殼板惑,內(nèi)部場強(qiáng)為零。
    (6) 均勻帶電的薄球殼偎快,內(nèi)部場強(qiáng)不為零冯乘。
    進(jìn)而借助疊加原理思考:有厚度的空心帶電球體,空腔里的場強(qiáng)為
    (7) 零晒夹。
    (8) 不一定往湿。
    則正確的是( )

解答:(1)(5)(7)

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球殼,總電量為Q惋戏,球殼的半徑是R,球殼厚度可以忽略他膳。我們想求出該球殼外部响逢,距離球心為rN處的電場(r>R)。我們過該點棕孙,做半徑為r的同心球面作為高斯面舔亭。設(shè)該點電場大小為E些膨,則核心方程可能為:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出電場來,觀察其規(guī)律可能為:(請理解钦铺、歸納订雾、記憶):均勻帶電薄球殼的外部場強(qiáng),( )等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場矛洞。
    (5) 能
    (6) 不能
    進(jìn)而借助疊加原理思考:有厚度的空心帶電球體洼哎,球外的場強(qiáng),( )等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場沼本。
    (7) 能
    (8) 不能噩峦。
    則正確的是( )

解答:(1)(5)(7)

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球體,總電量為Q抽兆,球的半徑是R识补。我們想求出該球體外部,距離球心為rN 處的電場(r>R)辫红。我們過該點凭涂,做半徑為r的同心球面作為高斯面。設(shè)該點電場大小為E贴妻,則核心方程可能為:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q}{\epsilon_{0}}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Qr}{\epsilon_{0}R}
    解出電場來切油,觀察其規(guī)律可能為:(請理解、歸納揍瑟、記憶)
    (5) 均勻帶電球體的外部場強(qiáng)白翻,等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場。

    (6) 均勻帶電球體的外部場強(qiáng)绢片,不等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場滤馍。

    則正確的是( )

解答:(1)(5)

  • 現(xiàn)在有一個均勻帶電的球體,總電量為Q底循,球的半徑是R巢株。我們想求出該球體內(nèi)部,距離球心為rM處的電場(r<R)熙涤。我們過該點阁苞,做半徑為r的同心球面作為高斯面。設(shè)該點電場大小為E祠挫,則核心方程可能為:
    (1) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{Q_{\text{內(nèi)}}}{\epsilon_{0}}, with Q_{\text{內(nèi)}}=\frac{Q}{\frac{4}{3}\pi R^{3}}\cdot\frac{4}{3}\pi r^{3}=Q\cdot(\frac{r}{R})^{3}
    (2) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{0}{\epsilon_{0}}
    (3) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{4r^{2}}{\epsilon_{0}R^{2}}
    (4) E\cdot4\pi r^{2}=\frac{4r}{\epsilon_{0}R}
    結(jié)合以上求解過程知那槽,均勻帶電球體內(nèi)部某場點的場強(qiáng),可等效為( _ )集中到球心時產(chǎn)生的電場等舔。<font color=""#FF0000"">(請理解骚灸、歸納、記憶)</font>
    (5) 所有電荷慌植。
    (6) 高斯面內(nèi)所有電荷甚牲。
    則正確的是( )

解答:(1)(6)

  • 組合帶電體的場強(qiáng)請用疊加原理义郑。在上面幾道題中,我們總結(jié)歸納了幾條直觀經(jīng)驗丈钙,具體地:
    (1) 均勻帶電的薄球殼非驮,內(nèi)部場強(qiáng)為零。
    (2) 均勻帶電薄球殼的外部場強(qiáng)雏赦,等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場劫笙。
    (3) 均勻帶電球體的外部場強(qiáng),等效為球心處放一個等電量的點電荷所產(chǎn)生的電場喉誊。
    (4)均勻帶電球體的內(nèi)部某場點的場強(qiáng)邀摆,可等效為高斯面內(nèi)所有電荷集中到球心時產(chǎn)生的電場。
    結(jié)合以上四點伍茄,考慮如圖的“組合帶電體”:由一個實心帶電球體和一個空心帶電球殼進(jìn)行同心組合而成栋盹。其中,實心球體電量為Q_{1}敷矫,球殼電量為Q_{2}例获。應(yīng)用點電荷公式和疊加原理,得帶電體外部場點M處的電場大小為:

解答:\frac{Q_1+Q_2}{\epsilon_0}

  • 結(jié)合以上四點曹仗,考慮如圖的“組合帶電體”:由一個實心帶電球體和一個空心帶電球殼進(jìn)行同心組合而成榨汤。其中,實心球體電量為Q_{1}怎茫,球殼電量為Q_{2}收壕。應(yīng)用點電荷公式和疊加原理,得空腔中場點P處電場大小為:

解答:\frac{Q_1}{\epsilon_0}

  • 如圖的“組合帶電體”:由一個實心帶電球體和一個空心帶電球殼進(jìn)行同心組合而成轨蛤。其中蜜宪,實心球體電量為Q_{1},球殼電量為Q_{2}祥山。應(yīng)用點電荷公式和疊加原理圃验,得球內(nèi)部場點N處的場強(qiáng)電場大小為E為:

解答:\frac{Q_1\frac{r^3}{R_1^3}}{\epsilon_0}


  • 所有無限長、均勻帶電的細(xì)桿缝呕、空心圓筒澳窑、實心圓柱,以及由它們合成的各種“同軸”組合體供常,均叫做“圓柱型帶電體”摊聋。請圖示這類帶電體的場強(qiáng)特征。

提示:距離軸線為r的各點栈暇,場強(qiáng)的大小都相等栗精,并且方向一定與軸線垂直。

  • 某圓柱型帶電體(紅色),設(shè)某場點到軸線的距離是r悲立,場強(qiáng)的大小是E。現(xiàn)在過該場點做一個高度為h的虛擬圓柱(藍(lán)色新博,高斯面)薪夕,則該面的電通量\oint\vec{E}\cdot d\vec{S}為:( )

解答:\frac{\pi R^2 h\rho}{\epsilon_0}

  • 現(xiàn)在有一個無限長、均勻帶電的細(xì)棒赫悄,電荷線密度為\lambda原献。我們想求出距離軸線(即細(xì)棒的中心線)為rM處的電場。我們過該點埂淮,做高度為h的同軸圓柱姑隅。設(shè)該點電場大小為E,則核心方程可能為:

解答:\int_{0}^{2\pi rh}\vec{E}\cdot d\vec{s}=\frac{\lambda h}{\epsilon_0}

  • 現(xiàn)在有一個無限長倔撞、均勻帶電讲仰、半徑為R的圓柱體,電荷體密度為\rho痪蝇。我們想求出帶電體外部鄙陡、距離軸線(即圓柱的中心線)為rM處的電場(r>R)。我們過該點躏啰,做高度為h的同軸圓柱面趁矾。設(shè)該點電場大小為E,則核心方程為:

解答:\int_{0}^{2\pi rh}\vec{E}\cdot d\vec{s}=\frac{\pi R^2 h\rho}{\epsilon_0}

  • 現(xiàn)在有一個無限長给僵、均勻帶電毫捣、半徑為R的圓柱體,電荷體密度為\rho帝际。我們想求出圓柱帶電體內(nèi)部蔓同、距離軸線(即圓柱的中心線)為rM處的電場(r<R)。我們過該點胡本,做高度為h的同軸圓柱牌柄。設(shè)該點電場大小為E,則核心方程為:

解答:

-------\int_{0}^{2\pi rh}\vec{E}\cdot d\vec{s}=\frac{\pi r^2 h\rho}{\epsilon_0}

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